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MOSFET Vishay SIR668DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 65 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1349160
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR668DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     5059040665927
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5,05 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
104 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.25mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1349160, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIR668DPT1RE3
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