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MOSFET onsemi FQD11P06TM, VDSS 60 V, ID 9,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1241719
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQD11P06TM
EAN/GTIN:
     5059042547399
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida. Características y ventajas:. interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión Diseño de celdas de alta densidad corriente de saturación alta conmutación superior Gran rendimiento robusto y fiable Tecnología DMOS. Aplicaciones:. Conmutación De Carga Convertidor CC/CC Protección de la batería Control de administración de energía Control del motor de CC
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
9,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
185 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
2,5 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
6.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1241719, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FQD11P06TM
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Accesorios
BOYD 573100D00000G HEAT SINK, Thermal Resistance:15°C/W, Pa
BOYD
573100D00000G
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Accesorios
DESCO EUROPE / VERMASON 229987 CONJUNTO DE PULSERA
DESCO EUROPE / VERMASON
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