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MOSFET onsemi FDN337N, VDSS 30 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1241703
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDN337N
EAN/GTIN:
     5059042707724
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
2,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
65 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
500 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, transistor de efecto de campo, 1241703, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDN337N
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
Imagen
Artículo
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Precio
Accesorios
Convertidor dc-dc 2W, Salida -5V dc, 40mA, 0.08
Murata
MGJ2D152005SC
a partir de € 6,742*
Accesorios
Convertidor dc-dc 2W, Salida -5V dc, 40mA, 0.08
Murata
MGJ2D122005SC
a partir de € 6,742*
Accesorios
Convertidor dc-dc 3W, Salida 5V dc, 120mA, 0.1
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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