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MOSFET onsemi BSS123, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1241693
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BSS123
EAN/GTIN:
     5059042021981
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Serie:
PowerTrench
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
6 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.8V
Disipación de Potencia Máxima:
360 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de efecto de campo, 1241693, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, BSS123
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