MOSFET onsemi NDT456P, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida. Características y ventajas:. interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión Diseño de celdas de alta densidad corriente de saturación alta conmutación superior Gran rendimiento robusto y fiable Tecnología DMOS. Aplicaciones:. Conmutación De Carga Convertidor CC/CC Protección de la batería Control de administración de energía Control del motor de CC