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MOSFET DiodesZetex DMN2016UTS-13, VDSS 20 V, ID 8,6 A, TSSOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1222875
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN2016UTS-13
EAN/GTIN:
     5059043040479
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
TSSOP
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
16,5 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
880 mW
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
+8 V
Longitud:
4.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1222875, Semiconductores, Semiconductores Discretos, DiodesZetex, DMN2016UTS13
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 407,50*
1 envase contiene 2.500 unidades (€ 0,163* por unidad)
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