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MOSFET onsemi 2N7002LT3G, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1216421
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     2N7002LT3G
EAN/GTIN:
     5059042128871
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
7,5 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
300 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1216421, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, 2N7002LT3G
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