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MOSFET onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1212747
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDV303N
EAN/GTIN:
     5059042367713
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
25 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
450 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.65V
Disipación de Potencia Máxima:
350 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
+8 V
Longitud:
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 1212747, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDV303N
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