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Módulo IGBT, FP75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, AG-ECONO3-3 Trifásico


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1116095
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FP75R12KE3
EAN/GTIN:
     5059045766070
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Módulo IGBT, Infineon. La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP ;sup>TM ;/sup> y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.. Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
105 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
355 W
Configuración:
Puente trifásico
Tipo de Encapsulado:
AG-ECONO3-3
Tipo de Montaje:
Montaje en panel
Tipo de Canal:
N
Configuración de transistor:
Trifásico
Dimensiones:
122 x 62 x 17mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+125 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Ancho:
62mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 1116095, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FP75R12KE3
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Accesorios
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Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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