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Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1109135
Fabricante:
     Fuji Electric
N.º fabricante:
     7MBR50VB-120-50
EAN/GTIN:
     5059045669135
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Módulos IGBT de 7 paquetes, Fuji Electric. Serie V
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
280 W
Configuración:
Puente trifásico
Tipo de Encapsulado:
M712
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
24
Configuración de transistor:
Trifásico
Dimensiones:
122 x 62 x 17mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Longitud:
122mm
Ancho:
62mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor igbt, 1109135, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Fuji Electric, 7MBR50VB12050
Resumen de condiciones1
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Precio
€ 65,182*
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