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MOSFET Nexperia PSMN1R2-30YLC,115, VDSS 30 V, ID 100 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1038122
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN1R2-30YLC,115
EAN/GTIN:
     5059043413112
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, hasta 30V
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,65 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.95V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.05V
Disipación de Potencia Máxima:
215 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1038122, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Nexperia, PSMN1R230YLC,115
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