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MOSFET STMicroelectronics STD100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1032005
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STD100N10F7
EAN/GTIN:
     5059042010718
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
STripFET H7
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
8 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
120 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.6mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1032005, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STD100N10F7
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
€ 1,158*
  
Precio válido a partir de 2.500 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 2.500 unidades
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