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Transistor digital, FDP075N15A-F102, TO-220, 3 pines (3 ofertas) 
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.RDS(on) = 6.25mΩ...
onsemi
FDP075N15A-F102
a partir de € 3,76*
por unidad
 
 unidad
Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; TO264 (4 ofertas) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión colector-emisor: 600V Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 100A Corriente de colector en impulso: 340A Tiempo de conexión: 95ns...
IXYS
IXXK100N60C3H1
a partir de € 16,57*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA NHDTA124EUX TRANSISTOR RF, AEC-Q101, SIMPLE PNP, 80V (1 oferta) 
Gama de Producto NHDTA124EU Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 22 kohm Resistencia Base-Emisor R2 22 kohm Núm. de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
NHDTA124EUX
a partir de € 0,103*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor digital, EMD52T2R, PNP/NPN 100/100 mA 50/-50 V Dual SOT-563, 6 pines (2 ofertas) 
Tipo de Transistor = PNP/NPN Corriente DC Máxima del Colector = 100/100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = 50/-50 V Tipo de Encapsulado = SOT-563 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mín...
ROHM Semiconductor
EMD52T2R
a partir de € 0,2445*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 50A; 460W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión colector-emisor: 1,2kV Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 50A Corriente de colector en impulso: 240A Tiempo de conexión: 60ns...
IXYS
IXGK50N120C3H1
a partir de € 15,34*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BZV55-B4V7,115 TRANSISTOR, NPN, 30V, 0,1A, SOT-23 (3 ofertas) 
Gama de Producto BZV55 Temperatura de Funcionamiento Máx. 200 °C Montaje de Diodo Montaje en superficie Número de Pines 2 Pines Disipación de Potencia 500 mW Calificación - Tensión Zener Nominal 4....
Nexperia
BZV55-B4V7,115
a partir de € 0,019*
por unidad
 
 unidades
Transistor digital, MJH11019G, PNP -200 V SOT-93, 3 pines, Simple (2 ofertas) 
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, ...
onsemi
MJH11019G
a partir de € 2,258*
por unidad
 
 unidad
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 56A; 484W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión colector-emisor: 1,2kV Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 56A Corriente de colector en impulso: 450A Tiempo de conexión: 1...
IXYS
IXYR100N120C3
a partir de € 19,26*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA NHDTA143ZTVL TRANSISTOR RF, AEC-Q101, SIMPLE PNP, 80V (1 oferta) 
Gama de Producto NHDTA143ZT Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 4.7 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
NHDTA143ZTVL
a partir de € 0,1505*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor digital, FJI5603DTU, NPN 800 V TO-262, 3 + Tab pines, Simple (2 ofertas) 
FJI5603D: NPN Silicon TransistorWide Safe Operating Area Small Variance in Storage Time Built-in Free Wheeling Diode High Voltage and High Speed Power Switch Application Electronic Ballast Applicat...
onsemi
FJI5603DTU
a partir de € 0,643*
por unidad
 
 unidad
Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión colector-emisor: 600V Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 120A Corriente de colector en impulso: 600A Tiempo de conexión: 1...
IXYS
IXGX120N60A3
a partir de € 12,29*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA NHDTA114ETR TRANSISTOR RF, AEC-Q101, SIMPLE PNP, 80V (1 oferta) 
Gama de Producto NHDTA114ET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 10 kohm Resistencia Base-Emisor R2 10 kohm Núm. de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
NHDTA114ETR
a partir de € 0,117*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor digital, FJB102TM, NPN 100 V Dual D2PAK (TO-263), 2 + Tab pines, Doble (3 ofertas) 
FJB102: 100V High Voltage Power Darlington TransistorHigh DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= 4 V, IC= 3 A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Mo...
onsemi
FJB102TM
a partir de € 0,453*
por unidad
 
 unidad
Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1,36kW; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión colector-emisor: 600V Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 150A Corriente de colector en impulso: 700A Tiempo de conexión: 0,...
IXYS
IXXH150N60C3
a partir de € 5,91*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA NHDTA143ZUX TRANSISTOR RF, AEC-Q101, SIMPLE PNP, 80V (1 oferta) 
Gama de Producto NHDTA143ZU Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 4.7 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
NHDTA143ZUX
a partir de € 0,103*
por 5 unidades
 
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