Transistor de potencia | MERCATEO (Página 701/1.295)

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Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0SG, 61 A, 1.200 V, Contactos de soldadura Case 180AJ (sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 61 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 186 W

onsemi

NXH100B120H3Q0SG

€ 1.574,616*
por 24 unidades

Módulo IGBT, IFF450B12ME4PB11BPSA1, N-Canal, 450 A, 1.200 V, ECONOD 2 Doble (3 ofertas)

Corriente Máxima Continua del Colector = 450 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = ECONOD Tipo de...

Infineon

IFF450B12ME4PB11BPSA1

a partir de € 179,50*
por unidad

DIODES INC. ZVN4424GTA MOSFET, CANAL N, 240V, 0.5A, 2.5W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de ...

Diodes

ZVN4424GTA

a partir de € 0,25*
por unidad

Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STG, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble (1 oferta)

El NXH100B120H3Q0 es un módulo de alimentación que consta de una etapa elevadora doble compuesta por dos IGBT de 50A/1200 V, dos diodos SiC de 20A/1.200 V y dos diodos en antiparalelo de 25 A/1.600...

onsemi

NXH100B120H3Q0STG

a partir de € 70,964*
por unidad

DIODES INC. ZTX751STZ TRANS, PNP, 60V, 2A, 200°C, 1,5W (1 oferta)

Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 140 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 60 V Encapsulado ...

Diodes

ZTX751STZ

a partir de € 0,307*
por unidad

Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2SG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (contacto DE SOLDADURA) (contactos de soldadura sin plomo y sin (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 73 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2SG

a partir de € 355,747*
por unidad

Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2PG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 73 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

a partir de € 176,785*
por unidad

DIODES INC. ZTX790A TRANSISTOR, PNP, E-LINE (1 oferta)

Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 100 MHz Tensión Col...

Diodes

ZTX790A

a partir de € 0,368*
por unidad

Módulo IGBT, NXH020F120MNF1PTG, Contactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM) (1 oferta)

Disipación de Potencia Máxima = 119 W

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

a partir de € 164,64*
por unidad

DIODES INC. ZVNL110GTA MOSFET, CANAL N, 100V, 0.6A, SOT-223 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corrie...

Diodes

ZVNL110GTA

a partir de € 0,37*
por unidad

Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2PG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 73 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

€ 6.002,496*
por 36 unidades

DIODES INC. ZTX795ASTZ TRANS, PNP, 140V, 0,5A, 200°C, 1,5W (1 oferta)

Gama de Producto ZTX Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Polaridad de Transistor PNP Frecuencia de Transición 100 MHz Tensión Colector-Emisor Máx 140 V Encapsulado...

Diodes

ZTX795ASTZ

a partir de € 0,381*
por unidad

Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 303 A. Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 592 W Tipo de Encapsulado = Q2PACK (sin ...

onsemi

NXH350N100H4Q2F2S1G

a partir de € 446,461*
por unidad

Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2P1G, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 303 A. Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 4 Tipo de Encapsulado = Q2PACK (sin plomo/sin h...

onsemi

NXH350N100H4Q2F2P1G

a partir de € 223,295*
por unidad

Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 61 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 186 W

onsemi

NXH100B120H3Q0PG

a partir de € 134,878*
por unidad

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