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  MOSFET  (25.092 ofertas entre 5.808.970 artículos)

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Infineon IPT60R050G7 (1 oferta)
Infineon
IPT60R050G7XTMA1
€ 10.476,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4,3A; 34W; PG-TO252-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO252-3 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 4,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPD50R950CEATMA1
a partir de € 0,206*
por unidad
 
 unidad
ROHM RU1C001UNTCL MOSFET, CANAL N, 20V, 0.1A, SOT-323FL (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
RU1C001UNTCL
a partir de € 0,0193*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPSA70R950CEAKMA1, VDSS 700 V, ID 8,7 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (1 oferta) 
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plata...
Infineon
IPSA70R950CEAKMA1
a partir de € 0,411*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 176W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 82A Resistencia en estado de transferencia: 2,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB240L
a partir de € 0,65*
por unidad
 
 unidad
ROHM RS1P090ATTB1 MOSFET, CANAL P, 100V, 33A, HSOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Co...
ROHM Semiconductor
RS1P090ATTB1
a partir de € 1,35*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPT039N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 190 A, HSOF-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 190 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número d...
Infineon
IPT039N15N5ATMA1
a partir de € 5,257*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 14A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 270W...
onsemi
FDA24N50F
a partir de € 2,46*
por unidad
 
 unidad
ROHM RU1C002UNTCL MOSFET, CANAL N, 20V, 0.2A, SOT-323FL (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 2.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.8 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
RU1C002UNTCL
a partir de € 0,185*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPT044N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 174 A, HSOF-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 174 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número d...
Infineon
IPT044N15N5ATMA1
€ 7.558,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTT40N50L2
a partir de € 12,88*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS3L110ATTB1, VDSS 60 V, ID 11 A, SOP de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de alimentación ROHM tiene un tipo de encapsulado DFN1616-7T. Se utiliza principalmente para conmutación, convertidor dc-dc e interruptores de batería.Baja resistencia de encendido Encaps...
ROHM Semiconductor
RS3L110ATTB1
a partir de € 0,995*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 160A; 104W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 85A Resistencia en estado de transferencia: 3,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
Diodes
DMT4005SCT
a partir de € 0,92*
por unidad
 
 unidad
ROHM RU1E002SPTCL MOSFET, CANAL P, 30V, 0.25A, SC-85 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.9 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
ROHM Semiconductor
RU1E002SPTCL
a partir de € 0,0405*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPT010N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF-8 de 8 pines (1 oferta) 
El Infineon IPT010N08NM5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de canal N sencillo de 80V 1.05mΩ 425A V en un encapsulado DE PEAJE. La tecnología de silicio OptiMOS 5 es una nueva generación de MOSFET...
Infineon
IPT010N08NM5ATMA1
a partir de € 4,584*
por unidad
 
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