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  MOSFET  (23.987 ofertas entre 5.834.104 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 34ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 7mΩ Tipo de transistor: N...
IXYS
IXTA100N04T2
a partir de € 1,30*
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ROHM R6018JNJGTL MOSFET, CANAL N, 18A, 600V, TO-263S (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
R6018JNJGTL
a partir de € 1,78*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPL60R365P7AUMA1, VDSS 600 V, ID 10 A, ThinPAK 8 x 8 de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = 600V CoolMOS P7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Má...
Infineon
IPL60R365P7AUMA1
a partir de € 1,107*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TDSON-8 Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 1,9mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPC100N04S5L-1R9
a partir de € 0,83*
por unidad
 
 unidad
RENESAS RJK0855DPB-00#J5 MOSFET, N-CH, 80V, 30A, LFPAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0082 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 3 - 168 horas Número de Pines 5 Pines Montaj...
Renesas
RJK0855DPB-00#J5
a partir de € 1,10*
por unidad
 
 unidad
ROHM R6018VNXC7G MOSFET, CANAL N, 600V, 10A, TO-220FM (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
ROHM Semiconductor
R6018VNXC7G
a partir de € 1,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP026N10NF2SAKMA1, VDSS 100 V, ID 27 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
El Infineon IPP026N10NF2S es el MOSFET de alimentación de canal N. La tensión de la fuente de drenaje de este mosfet es de 100 V. Es compatible con una amplia variedad de aplicaciones y la configur...
Infineon
IPP026N10NF2SAKMA1
a partir de € 3,243*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRFI740GPBF, VDSS 400 V, ID 5,4 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI740GPBF
a partir de € 0,53*
por unidad
 
 unidad
ROHM BM61S41RFV-CE2 CONTROLADOR MOSFET, -40 A 125°C (2 ofertas) 
Corriente de Suministro - Tipo de Interruptor de Potencia MOSFET Gama de Producto - Tipo de Entrada - Tensión de Alimentación Máx. 5.5 V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado N...
ROHM Semiconductor
BM61S41RFV-CE2
a partir de € 1,996*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPN70R1K4P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, l...
Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1
a partir de € 0,306*
por unidad
 
 unidades
ROHM R6020YNX3C16 MOSFET, CANAL N, 600V, 20A, TO-220AB (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 12 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.154 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
ROHM Semiconductor
R6020YNX3C16
a partir de € 1,89*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPL65R095CFD7AUMA1, VDSS 650 V, ID 29 A, ThinPAK 8 x 8 de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 29 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ThinPAK 8 x 8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Nú...
Infineon
IPL65R095CFD7AUMA1
a partir de € 4,545*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSC018N04LS G transistore 60 V (2 ofertas)
Infineon
BSC018N04LSGATMA1
a partir de € 0,585*
por unidad
 
 unidad
ROHM BSM180D12P3C007 SIC MOSFET, DOBLE CANAL N, 1.2KV, 180A (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) - Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor - Gama de Producto - Número de Pines - Configuración de Módulo MOSFET Medio Puente Tipo de Canal Canal N Doble Corriente d...
ROHM Semiconductor
BSM180D12P3C007
a partir de € 524,92*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPN80R600P7 transistore 800 V (1 oferta)
Infineon
IPN80R600P7ATMA1
€ 1.893,00*
por 3.000 unidades
 
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