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  MOSFET  (29.950 ofertas entre 5.834.273 artículos)

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MOSFET DiodesZetex DMTH10H009SPSQ-13, VDSS 100 V, ID 86 A, PowerDI5060-8 de 8 pines (1 oferta) 
DiodesZetex serie DMTH10H009SPSQ es un MOSFET de canal N diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción.Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida
Diodes
DMTH10H009SPSQ-13
a partir de € 0,934*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SI2328DS-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 100V, 1.15A, SOT-23 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.195 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Vishay
SI2328DS-T1-GE3
a partir de € 0,20*
por unidad
 
 unidades
INFINEON ISC058N04NM5ATMA1 MOSFET, CANAL N, 40V, 63A, TDSON-FL (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0045 ohm Gama de Producto OptiMOS 5 Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal C...
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1
a partir de € 0,44*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMT64M8LCG-7, VDSS 60 V, ID 16,1 A, V-DFN3333 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16,1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = DMT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenad...
Diodes
DMT64M8LCG-7
a partir de € 0,767*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,2W; SOT323 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT323 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 0,17A Resistencia en estado de transferencia: 6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Uso: r...
Diodes
BSS123WQ-7-F
a partir de € 0,23*
por 5 unidades
 
 envase
Infineon IRSM515-055PA microcontrolador (1 oferta)
Infineon
IRSM515-055PA
a partir de € 6,17*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMTH10H009SPSQ-13, VDSS 100 V, ID 86 A, PowerDI5060-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 86 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = DMTH10H009SPSQ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máx...
Diodes
DMTH10H009SPSQ-13
€ 0,62*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 900ns Tensión drenaje-fuente: 1,5kV Corriente del drenaje: 3A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 250W Polarización: ...
IXYS
IXTA3N150HV
a partir de € 6,66*
por unidad
 
 unidad
INFINEON ISC0806NLSATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 97A, TDSON (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto OptiMOS 5 Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Ca...
Infineon
ISC0806NLSATMA1
a partir de € 1,014*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMT6018LDR-13, VDSS 60 V, ID 11,4 A, V-DFN3030 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applicatio...
Diodes
DMT6018LDR-13
€ 0,38*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,3W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 0,17A Resistencia en estado de transferencia: 6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Uso: ra...
Diodes
BSS123Q-7
a partir de € 0,286*
por 10 unidades
 
 envase
INFINEON IRSM808-105MH MàDULO IPM, MOSFET, 500V, 10A, PQFN (1 oferta) 
Corriente Nominal (Ic / Id) 10 A Gama de Producto CIPOS Nano Tensión Nominal (Vces / Vdss) 500 V Diseño IPM PQFN Tensión de Aislamiento 1.5 kV Serie IPM CIPOS Nano Sustancia Extremadamente Preocupa...
Infineon
IRSM808-105MH
a partir de € 3,45*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMTH10H032LFVW-7, VDSS 100 V, ID 26 A, PowerDI3333-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PowerDI3333-8
Diodes
DMTH10H032LFVW-7
a partir de € 0,323*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,94A; 1,3W; DIP4 (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: DIP4 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 0,94A Resistencia en estado de transferencia: 0,27Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,...
Vishay
IRFD120PBF
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
INFINEON ISP20EP10LMXTSA1 MOSFET, P-CH, 100V, SOT-223-4 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.775 ohm Gama de Producto OptiMOS Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 ...
Infineon
ISP20EP10LMXTSA1
a partir de € 0,224*
por unidad
 
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