MOSFET | MERCATEO (Página 771/1.675)

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VISHAY SUP85N10-10-E3 TRANSISTOR, MOSFET (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O...

Vishay

SUP85N10-10-E3

a partir de € 1,74*
por unidad

Infineon BSC027N06LS5 transistore 75 V (1 oferta)

Infineon

BSC027N06LS5ATMA1

€ 4.940,00*
por 5.000 unidades

MOSFET Vishay IRF510SPBF, VDSS 100 V, ID 5,6 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF510SPBF

a partir de € 0,37*
por unidad

MICROCHIP TN5325N3-G MOSFET, CANAL N, 250V, 0.215A, TO-92 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 7 ohm Gama de Producto TN5325 Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...

Microchip Technology

TN5325N3-G

a partir de € 0,45*
por unidad

MICROCHIP TN0104N3-G D-MOSFET, CANAL N, 0.45A, 40V, TO-92-3 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Ori...

Microchip Technology

TN0104N3-G

a partir de € 0,84*
por unidad

MOSFET Infineon BSC040N10NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 140 A, SuperSO8 5 x 6 DSC de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 140 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 DSC Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Infineon

BSC040N10NS5SCATMA1

a partir de € 2,822*
por unidad

MOSFET Vishay IRL520PBF (3 ofertas)

MOSFET

Vishay

IRL520PBF

a partir de € 0,39*
por unidad

MOSFET Microchip TP2104K1-G, VDSS 40 V, SOT-23 (3 ofertas)

Tipo de Canal = P Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Microchip Technology

TP2104K1-G

a partir de € 0,50*
por unidad

MOSFET Infineon BSC034N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

La serie OptiMOS™3 Power-MOSFET de Infineon tiene tensión de fuente de drenaje máxima 30V con tipo de encapsulado SuperSO8 5x6. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la menor resistencia...

Infineon

BSC034N03LSGATMA1

a partir de € 0,615*
por unidad

Infineon BSC028N06NS transistore 60 V (3 ofertas)

Infineon

BSC028N06NSATMA1

a partir de € 1,07*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm (1 oferta)

Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: SMD Carcasa: VSONP8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 12,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...

Texas Instruments

CSD19534Q5AT

a partir de € 0,88*
por unidad

MICROCHIP TP2510N8-G MOSFET, CANAL P, -0.48A, 100V, SOT-89-3 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de ...

Microchip Technology

TP2510N8-G

a partir de € 0,78*
por unidad

Infineon IPB123N10N3 G transistore 100 V (2 ofertas)

Infineon

IPB123N10N3GATMA1

a partir de € 0,774*
por unidad

MOSFET Microchip TN2124K1-G, VDSS 240 V, SOT-23 (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 240 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Microchip Technology

TN2124K1-G

a partir de € 0,49*
por unidad

MOSFET Infineon BSC0501NSIATMA1, VDSS 30 V, ID 130 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 130 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 N...

Infineon

BSC0501NSIATMA1

a partir de € 0,965*
por unidad

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