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  MOSFET  (14.420 ofertas entre 5.842.633 artículos)

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MOSFET ROHM SP8M4HZGTB, VDSS 30 V, ID 7 A, 9 A., SOP de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M4HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET NCH+PCH 30V con diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutació...
ROHM Semiconductor
SP8M4HZGTB
a partir de € 0,908*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTWA40N120G2V-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Res...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
a partir de € 13,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8M51HZGTB, VDSS 100 V, ID 2,5 A, 3 A, SOP de 8 pines (2 ofertas) 
La alimentación Rohm SP8M51HZG dual (NCH+PCH) no se ajusta correctamente para la fuente de alimentación de conmutación.Baja resistencia Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8) Chapado d...
ROHM Semiconductor
SP8M51HZGTB
a partir de € 0,512*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS SCTWA90N65G2V MOSFET, SIC, CANAL N, 650V, 119A, HIP247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.018 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corrie...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V
a partir de € 24,72*
por unidad
 
 unidad
ROHM TT8K2TR MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, TSST (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
ROHM Semiconductor
TT8K2TR
a partir de € 0,262*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB10LN80K5 MOSFET, CANAL N, 800V, 8A, 150°C, 110W (1 oferta) 
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (16-Jan-2020) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.55 ohm Gama d...
ST Microelectronics
STB10LN80K5
a partir de € 1,43*
por unidad
 
 unidad
ROHM UM6J1NTN MOSFET, DOBLE CANAL P, -30V, SOT-363 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 200 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
ROHM Semiconductor
UM6J1NTN
a partir de € 0,465*
por 5 unidades
 
 envase
ROHM UM6K34NTCN MOSFET, DOBLE CANAL N, 50V, SOT-363 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 50 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 200 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
ROHM Semiconductor
UM6K34NTCN
a partir de € 0,345*
por 5 unidades
 
 envase
ROHM UT6J3TCR1 MOSFET DOBLE CANAL P -20V -3A DFN2020 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dr...
ROHM Semiconductor
UT6J3TCR1
a partir de € 0,299*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB18N65M5 MOSFET, CANAL P, 650V, 15A, 110W, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.198 ohm Gama de Producto MDmesh M5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
ST Microelectronics
STB18N65M5
a partir de € 1,39*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM UT6JC5TCR, VDSS 60 V, ID 2,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado DFN1010-3W. Se utiliza principalmente para circuitos de conmutación, interruptor de carga de lado alto y controlador de relé.Almohadilla...
ROHM Semiconductor
UT6JC5TCR
a partir de € 0,284*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ40N50L2
a partir de € 11,47*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB23N80K5 MOSFET, CANAL N, 800V, 16A, 150°C, 190W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines ...
ST Microelectronics
STB23N80K5
a partir de € 2,40*
por unidad
 
 unidad
ROHM UT6MA3TCR MOSFET, CANAL N Y P, 20V, 5,5A, DFN2020 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 5.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
ROHM Semiconductor
UT6MA3TCR
a partir de € 0,234*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 64ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTH6N50D2
a partir de € 4,90*
por unidad
 
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