| | | | |
Imagen | | | | Realizar un pedido |
|
|
|
|
|
a partir de € 2,07* por unidad |
|
|
|
|
a partir de € 0,682* por unidad |
|
|
ONSEMI FDC653N MOSFET, N, SMD, SUPERSOT-6, FULL REEL (2 ofertas) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje... |
|
a partir de € 0,207* por unidad |
|
|
|
Infineon IPAN70R900P7SXKSA1 |
a partir de € 22,30* por 50 unidades |
|
|
|
onsemi FCPF250N65S3R0L-F154 |
a partir de € 1,38* por unidad |
|
|
|
|
a partir de € 0,45* por 5 unidades |
|
|
|
onsemi FCPF360N65S3R0L-F154 |
a partir de € 1,27* por unidad |
|
|
|
Infineon IPAN80R450P7XKSA1 |
a partir de € 41,00* por 50 unidades |
|
|
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7,5A; 2W; TSOP6 (1 oferta) Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: TSOP6 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 7,5A Resistencia en estado de transferencia: 31mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder... |
Infineon BSL802SNH6327XTSA1 |
a partir de € 0,132* por unidad |
|
|
|
|
a partir de € 0,69* por unidad |
|
|
|
Microchip Technology DN3525N8-G |
a partir de € 0,85* por unidad |
|
|
ONSEMI FDC8601 MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SUPERSOT-6 (2 ofertas) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.086 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje... |
|
a partir de € 0,481* por unidad |
|
|
|
Infineon IPAW60R280P7SXKSA1 |
a partir de € 39,60* por 45 unidades |
|
|
|
|
a partir de € 2,21* por unidad |
|
|
ONSEMI FDA59N30 MOSFET, N, TO-3P (3 ofertas) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.047 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O... |
|
a partir de € 1,786* por unidad |
|
|