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  MOSFET  (25.125 ofertas entre 5.792.573 artículos)

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INFINEON IPF023N08NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 80V, 209A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.002 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...
Infineon
IPF023N08NF2SATMA1
a partir de € 1,70*
por unidad
 
 unidad
Infineon
BSZ0503NSIATMA1
a partir de € 0,50*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 2,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPB100N04S303ATMA1
a partir de € 1,34*
por unidad
 
 unidad
INFINEON IPF024N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 227A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0021 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Infineon
IPF024N10NF2SATMA1
a partir de € 2,40*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
ST Microelectronics
SCT50N120
a partir de € 34,977*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tiempo de disponibilidad: 900ns Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 1,4A Resistencia en estado de transferencia: 13Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTY1R4N120P
a partir de € 2,27*
por unidad
 
 unidad
INFINEON IPF039N08NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 80V, 126A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0035 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Infineon
IPF039N08NF2SATMA1
a partir de € 1,34*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET Infineon F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = AG-EASY2B Tipo de Montaje = Montaje roscado Resistencia Máxima Drenador-F...
Infineon
F445MR12W1M1B76BPSA1
a partir de € 96,545*
por unidad
 
 unidad
INFINEON IPF042N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 139A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0037 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Infineon
IPF042N10NF2SATMA1
a partir de € 1,184*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispos...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
a partir de € 29,04*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2,2kV; 0,38A; Idm: 1,2A (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247HV Tiempo de disponibilidad: 1,1µs Tensión drenaje-fuente: 2,2kV Corriente del drenaje: 0,38A Resistencia en estado de transferencia: 80Ω Tipo de transis...
IXYS
IXTH06N220P3HV
a partir de € 11,94*
por unidad
 
 unidad
INFINEON IPF050N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 117A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0044 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Infineon
IPF050N10NF2SATMA1
a partir de € 1,018*
por unidad
 
 unidad
MOSFET + Diodo Vishay SIHK055N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Vishay
SIHK055N60EF-T1GE3
a partir de € 5,00*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 16A; 660W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 66...
IXYS
IXFH16N120P
a partir de € 14,34*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IPG20N04S412AATMA1
a partir de € 0,455*
por unidad
 
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