MOSFET | MERCATEO (Página 324/969)

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STMICROELECTRONICS STW45N60DM6 MOSFET, CANAL N, 600V, 30A, 150°C, 210W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.085 ohm Gama de Producto MDmesh DM6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...

ST Microelectronics

STW45N60DM6

a partir de € 4,39*
por unidad

STMICROELECTRONICS STW56N60M2-4 MOSFET, CANAL N, 600V, 52A, 150°C, 350W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.045 ohm Gama de Producto MDmesh M2 Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal...

ST Microelectronics

STW56N60M2-4

a partir de € 4,79*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7316TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...

Infineon

IRF7316TRPBF

a partir de € 11,10*
por 20 unidades

MOSFET Infineon IRF7495TRPBF, VDSS 100 V, ID 7,3 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y ...

Infineon

IRF7495TRPBF

a partir de € 6,68*
por 10 unidades

STMICROELECTRONICS STW58N65DM2AG MOSFET, CANAL N, 650 V, 48 A, TO247 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.058 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...

ST Microelectronics

STW58N65DM2AG

a partir de € 7,35*
por unidad

MOSFET Infineon IRFP260MPBF, VDSS 200 V, ID 50 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexi...

Infineon

IRFP260MPBF

a partir de € 7,40*
por 5 unidades

MOSFET STMicroelectronics STW56N60M2, VDSS 650 V, ID 52 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics. Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de cap...

ST Microelectronics

STW56N60M2

a partir de € 4,89*
por unidad

MOSFET Infineon IRFB4110GPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Infineon

IRFB4110GPBF

a partir de € 124,70*
por 50 unidades

STMICROELECTRONICS STW62N65M5 MOSFET, CANAL N, AUTO, 650V, 46A, TO-247 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.041 ohm Gama de Producto MDmesh M5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...

ST Microelectronics

STW62N65M5

a partir de € 8,56*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7319TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon. Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocu...

Infineon

IRF7319TRPBF

a partir de € 10,20*
por 20 unidades

STMICROELECTRONICS STW75N60M6 MOSFET, CANAL N, 600V, 72A, 150°C, 446W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.032 ohm Gama de Producto MDmesh M6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...

ST Microelectronics

STW75N60M6

a partir de € 6,26*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7507TRPBF, VDSS 20 V, ID 1,7 A, 2,4 A, MSOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (1 oferta)

Infineon

IRF7507TRPBF

a partir de € 0,357*
por unidad

STMICROELECTRONICS STW68N60M6 MOSFET, CANAL N, 600V, 63A, 150°C, 390W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto MDmesh M6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...

ST Microelectronics

STW68N60M6

a partir de € 6,38*
por unidad

MOSFET Infineon IRFP2907PBF, VDSS 75 V, ID 209 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...

Infineon

IRFP2907PBF

a partir de € 94,50*
por 25 unidades

STMICROELECTRONICS STWA65N60DM6 MOSFET, CANAL N, 600V, 38A, 250W, TO-247 (3 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.06 ohm Gama de Producto MDmesh DM6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...

ST Microelectronics

STWA65N60DM6

a partir de € 4,90*
por unidad

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