MOSFET | MERCATEO (Página 1.310/1.680)

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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6 (1 oferta)

Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: uDFN6 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -10A Resistencia en estado de transferencia: 43mΩ Tipo de transistor: P-MOSFET Poder disipado: 1W...

Toshiba

SSM6J501NU,LF

a partir de € 0,181*
por unidad

MOSFET Vishay SI7489DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, PowerPAK SO-8 (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 28 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SI7489DP-T1-GE3

a partir de € 1,461*
por unidad

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11,1A; 3W; SO8 (1 oferta)

Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -11,1A Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ Tipo de transistor: P-MOSFET Poder disipado: 3W ...

Vishay

SI4463BDY-E3

a partir de € 0,65*
por unidad

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10,6A; Idm: -60A; 41W (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: -120V Corriente del drenaje: -10,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: P-MOSFET Poder disipado...

onsemi

FQPF15P12

a partir de € 1,14*
por unidad

MOSFET Vishay SI4151DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12,1 A, SO-8 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12,1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SI4151DY-T1-GE3

a partir de € 0,822*
por unidad

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -29A; 12W; DFN3x3 EP (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN3x3 EP Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -29A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transistor: P-M...

Alpha & Omega Semiconductor

AON7407

a partir de € 0,174*
por unidad

MOSFET Vishay SI7818DN-T1-E3, VDSS 150 V, ID 2,2 A, PowerPAK 1212-8 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SI7818DN-T1-E3

a partir de € 0,68*
por unidad

MOSFET Vishay IRFU014PBF, VDSS 60 V, ID 7,7 A, IPAK (TO-251) (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = IPAK (TO-251) Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Vishay

IRFU014PBF

a partir de € 0,44*
por unidad

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2,3W; SO8 (1 oferta)

Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: -12V Corriente del drenaje: -14A Resistencia en estado de transferencia: 8,32mΩ Tipo de transistor: P-MOSFET Poder disipado: 2,3...

Vishay

SQ4153EY-T1_GE3

a partir de € 1,06*
por unidad

MOSFET Vishay SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,5 A, PowerPAK SC-70-6L doble de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima D...

Vishay

SIA938DJT-T1-GE3

a partir de € 0,354*
por unidad

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 800mW; SOT23 (2 ofertas)

Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -1A Resistencia en estado de transferencia: 55mΩ Tipo de transistor: P-MOSFET Poder ...

Taiwan Semiconductor

TSM2305CX RFG

a partir de € 0,19*
por unidad

MOSFET Vishay SI4190BDY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 17 A, SO-8 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Can...

Vishay

SI4190BDY-T1-GE3

a partir de € 1,85*
por unidad

MOSFET Vishay SI8416DB-T2-E1, VDSS 8 V, ID 16 A, 6-MicroFoot (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 8 V Tipo de Encapsulado = 6-MicroFoot Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SI8416DB-T2-E1

€ 0,28*
por unidad

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1,19W; SOT23 (1 oferta)

Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: -12V Corriente del drenaje: -3A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transistor: P-MOSFET Poder disipado: 1,19...

Vishay

SI2315BDS-T1-E3

a partir de € 0,237*
por unidad

MOSFET Vishay SIB4316EDK-T1-GE3, VDSS 6 V, ID 30 A, PowerPAK SC-75 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 6 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SC-75 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SIB4316EDK-T1-GE3

a partir de € 0,247*
por unidad

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