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  MOSFET  (25.092 ofertas entre 5.808.124 artículos)

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MOSFET Toshiba TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, DFN8x8 de 5 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DFN8x8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistenc...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
a partir de € 2,40*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK10J80E,S1E(S MOSFET, N-CH, 800V, 10A, TO-3P (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.7 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrien...
Toshiba
TK10J80E,S1E(S
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFS3206TRRPBF, VDSS 60 V, ID 210 A, D2-Pak (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 210 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = D2-Pak Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRFS3206TRRPBF
a partir de € 1,951*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 23A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34F60B
a partir de € 12,92*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100A08N1,S4X(S MOSFET, CANAL N, 80V, 100A, TO-220SIS (1 oferta) 
Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Corr...
Toshiba
TK100A08N1,S4X(S
a partir de € 1,59*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR15N20DTRPBF, VDSS 200 V, ID 17 A, DPAK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = SMD
Infineon
IRFR15N20DTRPBF
a partir de € 0,852*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK10P60W,RVQ(S MOSFET, N-CH, 600V, 9.7A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.327 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
Toshiba
TK10P60W,RVQ(S
a partir de € 0,688*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,3A; 21,6W; PG-VSON-4 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 2,3A Resistencia en estado de transferencia: 2,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPL60R2K1C6SATMA1
a partir de € 0,34*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,165Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 25...
IXYS
IXKH24N60C5
a partir de € 2,40*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK110A65Z,S4X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.092 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encap...
Toshiba
TK110A65Z,S4X(S
a partir de € 1,93*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFS3207ZTRRPBF, VDSS 75 V, ID 170 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 170 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 75 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 R...
Infineon
IRFS3207ZTRRPBF
a partir de € 2,33*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 600W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 43A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disi...
NTE Electronics
NTE2951
a partir de € 8,93*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR220NTRPBF, VDSS 200 V, ID 5 A, DPAK (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = SMD
Infineon
IRFR220NTRPBF
a partir de € 0,62*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,4A; 25W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 2,4A Resistencia en estado de transferencia: 2,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Taiwan Semiconductor
TSM4NB60CI C0G
a partir de € 0,60*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK110E65Z,S1X(S MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.092 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK110E65Z,S1X(S
a partir de € 2,26*
por unidad
 
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