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  MOSFET  (24.196 ofertas entre 5.623.353 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 160A; 780W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 28A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT43M60L
a partir de € 12,25*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK090E65Z,S1X(S MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.075 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK090E65Z,S1X(S
a partir de € 2,52*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLHS6276TRPBF, VDSS 20 V, ID 3,4 A, DFN2020 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = DFN2020 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRLHS6276TRPBF
a partir de € 0,235*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Toshiba TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = TK090A65Z Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.09 Ω Modo de Canal ...
Toshiba
TK090A65Z,S4X(S
a partir de € 2,22*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
IXYS
IXFR36N60P
a partir de € 9,01*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK090Z65Z,S1F(O, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = TK090Z65Z Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia ...
Toshiba
TK090Z65Z,S1F(O
a partir de € 4,28*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR3705ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 89 A, DPAK (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 89 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRLR3705ZTRPBF
a partir de € 0,86*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Toshiba TK090N65Z,S1F(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
Toshiba
TK090N65Z,S1F(S
a partir de € 3,33*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100A08N1,S4X(S MOSFET, CANAL N, 80V, 100A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK100A08N1,S4X(S
a partir de € 1,60*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,4A; 25W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 2,4A Resistencia en estado de transferencia: 2,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Taiwan Semiconductor
TSM4NB60CI C0G
a partir de € 0,60*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, DFN8x8 de 5 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = TK099V65Z Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima D...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
a partir de € 2,40*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Infineon
IPA60R099P7
a partir de € 3,28*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100E08N1,S1X(S MOSFET, CANAL N, 80V, 214A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK100E08N1,S1X(S
a partir de € 1,71*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR6225TRPBF, VDSS 20 V, ID 100 A, DPAK (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRLR6225TRPBF
a partir de € 0,357*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,9A; Idm: 25A; 130W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: D2PAK;TO263 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 3,9A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipad...
Vishay
IRFBC40SPBF
a partir de € 1,18*
por unidad
 
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