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  Módulo IGBT  (1.548 ofertas entre 5.838.258 artículos)

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Módulo: IGBT; diodo/transistor; medio puente IGBT; Urmax: 1,2kV (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: SEMITRANS3 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 186A Corriente d...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GBD126D 22891102
a partir de € 138,04*
por unidad
 
 unidad
Módulo accionador IGBT NCD57090BDWR2G, 6,5 A SOIC 8 pines (1 oferta) 
Corriente de Salida = 6,5 A Tensión de Alimentación = 22V Conteo de Pines = 8 Tipo de Encapsulado = SOIC
onsemi
NCD57090BDWR2G
a partir de € 2,238*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; diodo/transistor; medio puente IGBT; Urmax: 1,2kV (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: IXYS Carcasa: SMPD-B Tensión de r...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
a partir de € 8,02*
por unidad
 
 unidad
Módulo accionador IGBT NCD57084DR2G, 7 A SOIC 8 pines (1 oferta) 
Corriente de Salida = 7 A Tensión de Alimentación = 20V Conteo de Pines = 8 Tipo de Encapsulado = SOIC
onsemi
NCD57084DR2G
a partir de € 1,649*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente unifase de diodo; Ic: 30A (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Carcasa: AG-EASY1B-1 Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 30A Corrie...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
a partir de € 26,18*
por unidad
 
 unidad
Módulo accionador IGBT 2EDN7424FXTMA1, TTL 4 A PG-DSO-8-60 8 pines (1 oferta) 
Logic Type = TTL Corriente de Salida = 4 A Tensión de Alimentación = 22V Conteo de Pines = 8 Tiempo de Bajada = 10ns
Infineon
2EDN7424FXTMA1
a partir de € 0,718*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,7kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 75A Corriente de colector ...
IXYS
IXBN75N170
a partir de € 78,35*
por unidad
 
 unidad
Módulo accionador IGBT NCD57090EDWR2G, 6,5 A SOIC 8 pines (2 ofertas) 
Corriente de Salida = 6,5 A Tensión de Alimentación = 20V Conteo de Pines = 8 Tiempo de Bajada = 13ns
onsemi
NCD57090EDWR2G
a partir de € 1,27*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente unifase de diodo; Ic: 11A (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 0 Potencia: 1,5kW Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 01NEC066V3 25232420
a partir de € 41,05*
por unidad
 
 unidad
Módulo accionador IGBT NCD57090DDWR2G, 6,5 A SOIC 8 pines (1 oferta) 
Corriente de Salida = 6,5 A Tensión de Alimentación = 20V Conteo de Pines = 8 Tipo de Encapsulado = SOIC
onsemi
NCD57090DDWR2G
a partir de € 1,689*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±30V Corriente de colector: 29A Corri...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
a partir de € 36,79*
por unidad
 
 unidad
Módulo accionador IGBT NCD57090ADWR2G, 6,5 A SOIC 8 pines (1 oferta) 
Corriente de Salida = 6,5 A Tensión de Alimentación = 22V Conteo de Pines = 8 Tipo de Encapsulado = SOIC
onsemi
NCD57090ADWR2G
a partir de € 1,949*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; diodo/transistor; rectificador de 3-fásico; Ic: 6A (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Carcasa: AG-EASY1B-1 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 6A Corrien...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
a partir de € 30,92*
por unidad
 
 unidad
Módulo accionador IGBT NCD57080BDR2G, 6,5 A SOIC 8 pines (2 ofertas) 
EL on Semiconductor NCD57080B es un controlador de puerta IGBT de una canal de alta corriente de− con aislamiento galvánico interno de 3,75 kVrms, diseñado para alta eficiencia del sistema y fiabil...
onsemi
NCD57080BDR2G
a partir de € 1,86*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 200A Corriente de colector...
IXYS
IXGN400N60B3
a partir de € 40,88*
por unidad
 
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