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  Módulos de transistores MOSFET (99 artículos)

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Módulo; transistor individual; 500V; 75A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 75A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN100N50P
€ 48,97*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 500V; 82A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 82A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN100N50Q3
€ 40,198*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 650V; 78A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 78A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN100N65X2
€ 42,97*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 300V; 86A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 86A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN102N30P
€ 23,031*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 600V; 90A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN110N60P3
€ 32,618*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 850V; 110A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 205ns Tensión drenaje-fuente: 850V Corriente del drenaje: 110A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN110N85X
€ 69,72*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 650V; 108A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 220ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 108A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN120N65X2
€ 50,70*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 900V; 109A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 109A Resistencia en estado de transferencia: 10mΩ Polarizac...
IXYS
IXFN130N90SK
€ 226,71*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 500V; 112A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 112A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN132N50P3
€ 45,82*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 200V; 115A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 150ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 115A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN140N20P
€ 30,007*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 300V; 110A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 110A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN140N30P
€ 31,205*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 650V; 145A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 190ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 145A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN150N65X2
€ 43,229*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 300V; 130A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 130A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN160N30T
€ 35,46*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 300V; 138A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 138A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN170N30P
€ 46,46*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 650V; 170A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 270ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 170A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN170N65X2
€ 55,84*
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