Valor RMS de Corriente (Irms) 75 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 1.5 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 125 A Resistencia DC Máxima 400 µohm Sustancia Ex...
Valor RMS de Corriente (Irms) 75 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 2.2 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 120 A Resistencia DC Máxima 400 µohm Sustancia Ex...
Valor RMS de Corriente (Irms) 75 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 3.3 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 91 A Resistencia DC Máxima 400 µohm Sustancia Ext...
Valor RMS de Corriente (Irms) 56.7 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 6.8 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 76.5 A Resistencia DC Máxima 0.0012 ohm Sustanc...
Valor RMS de Corriente (Irms) 56.7 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 10 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 62 A Resistencia DC Máxima 0.0012 ohm Sustancia ...
Valor RMS de Corriente (Irms) 45.3 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 15 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 51.6 A Resistencia DC Máxima 0.00216 ohm Sustanc...
Valor RMS de Corriente (Irms) 40.6 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 22 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 42 A Resistencia DC Máxima 0.0032 ohm Sustancia ...
Valor RMS de Corriente (Irms) 32 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 33 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 38.9 A Resistencia DC Máxima 0.00638 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 32 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 47 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 31 A Resistencia DC Máxima 0.00638 ohm Sustancia E...
Valor RMS de Corriente (Irms) 28.7 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 3.3 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 43 A Resistencia DC Máxima 0.0024 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 28.7 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 4.7 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 29.8 A Resistencia DC Máxima 0.0024 ohm Sustanc...
Valor RMS de Corriente (Irms) 20.6 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 6.8 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 30.6 A Resistencia DC Máxima 0.005 ohm Sustanci...
Valor RMS de Corriente (Irms) 20.6 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 8.2 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 25.6 A Resistencia DC Máxima 0.005 ohm Sustanci...
Valor RMS de Corriente (Irms) 20.6 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 10 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 20.6 A Resistencia DC Máxima 0.005 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 20.6 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 15 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 12.9 A Resistencia DC Máxima 0.005 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 23.2 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 22 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 49.4 A Resistencia DC Máxima 0.0088 ohm Sustanci...
Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 39.2 A Resistencia DC Máxima 0.0099 ohm Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) Tolerancia de Inductancia ± 20% Val...
Valor RMS de Corriente (Irms) 19.3 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 47 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 32.3 A Resistencia DC Máxima 0.01298 ohm Sustanc...
Valor RMS de Corriente (Irms) 17.2 A Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 65 µH Gama de Producto WE-HCFT Corriente de Saturación (Isat) 26.6 A Resistencia DC Máxima 0.01444 ohm Sustanc...
Valor RMS de Corriente (Irms) 5 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 1.8 µH Gama de Producto WE-SD Corriente de Saturación (Isat) - Resistencia DC Máxima 0.006 ohm Sustancia Extre...
Valor RMS de Corriente (Irms) 5 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 2 µH Gama de Producto WE-SD Corriente de Saturación (Isat) 18 A Resistencia DC Máxima 0.0065 ohm Sustancia Ext...
Valor RMS de Corriente (Irms) 15 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 2 µH Gama de Producto WE-SD Corriente de Saturación (Isat) 34 A Resistencia DC Máxima 0.0017 ohm Sustancia Ex...
Valor RMS de Corriente (Irms) 15 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 6 µH Gama de Producto WE-SD Corriente de Saturación (Isat) 45 A Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) N...
Valor RMS de Corriente (Irms) 680 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 1 mH Gama de Producto WE-TIF Corriente de Saturación (Isat) 920 mA Sustancia Extremadamente Preocupante (SV...
Valor RMS de Corriente (Irms) 460 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 2.2 mH Gama de Producto WE-TIF Corriente de Saturación (Isat) 630 mA Sustancia Extremadamente Preocupante (...
Tolerancia de Inductancia ± 10% Valor RMS de Corriente (Irms) 1.2 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 330 µH Gama de Producto WE-TIF Corriente de Saturación (Isat) 1.55 A Sustanc...
Valor RMS de Corriente (Irms) 370 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 3.3 mH Gama de Producto WE-TIF Corriente de Saturación (Isat) 520 mA Sustancia Extremadamente Preocupante (...
Valor RMS de Corriente (Irms) 310 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 4.7 mH Gama de Producto WE-TIF Corriente de Saturación (Isat) 430 mA Sustancia Extremadamente Preocupante (...
Valor RMS de Corriente (Irms) 2.45 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 100 µH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 2.75 A Resistencia DC Máxima 0.1 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 230 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 10 mH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 290 mA Resistencia DC Máxima 9.7 ohm Sustancia ...
Valor RMS de Corriente (Irms) 1.65 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 220 µH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 1.9 A Resistencia DC Máxima 0.22 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 400 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 3.3 mH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 500 mA Resistencia DC Máxima 3.2 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 1.1 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 470 µH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 1.3 A Resistencia DC Máxima 0.46 ohm Sustancia ...
Valor RMS de Corriente (Irms) 340 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 4.7 mH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 420 mA Resistencia DC Máxima 4.6 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 900 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 680 µH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 1.1 A Resistencia DC Máxima 0.67 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 280 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 6.8 mH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 350 mA Resistencia DC Máxima 6.6 ohm Sustancia...
Valor RMS de Corriente (Irms) 2.6 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 100 µH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 3.1 A Sustancia Extremadamente Preocupante (SVH...
Valor RMS de Corriente (Irms) 250 mA Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 10 mH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 320 mA Sustancia Extremadamente Preocupante (SV...
Valor RMS de Corriente (Irms) 1.75 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 220 µH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 2.1 A Sustancia Extremadamente Preocupante (SV...
Valor RMS de Corriente (Irms) 1 A Construcción del Inductor Sin apantallar Inductancia 680 µH Gama de Producto WE-TI Corriente de Saturación (Isat) 1.2 A Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)...
Valor RMS de Corriente (Irms) 200 mA Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 2.2 mH Gama de Producto WE-TIS Corriente de Saturación (Isat) 180 mA Resistencia DC Máxima 4.5 ohm Sustancia E...
Valor RMS de Corriente (Irms) 650 mA Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 330 µH Gama de Producto WE-TIS Corriente de Saturación (Isat) 450 mA Resistencia DC Máxima 0.8 ohm Sustancia E...
Valor RMS de Corriente (Irms) 600 mA Construcción del Inductor Apantallado Inductancia 470 µH Gama de Producto WE-TIS Corriente de Saturación (Isat) 400 mA Sustancia Extremadamente Preocupante (SVH...
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