Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 128 K x 16 Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns
Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 128 K x 16 Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns
Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 256 K x 8 Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns
Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 256 K x 8 Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns
Tamaño de la Memoria = 8Mbit Organización = 512K x 16 mm, 1M x 8 mm Número de Palabras = 512k Número de Bits de Palabra = 16, 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns
Tamaño de la Memoria = 8Mbit Organización = 512K x 16 mm, 1M x 8 mm Número de Palabras = 512k Número de Bits de Palabra = 16, 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns
Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 256 K x 8 Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 256 K x 8 Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 128 K x 16 Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 512K x 8 Número de Palabras = 512k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 512K x 8 Número de Palabras = 512k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 128 K x 8 Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 128 K x 8 Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tamaño de la Memoria = 9Mbit Organización = 256k x 36 pulg Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 36bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 2.8ns
Tamaño de la Memoria = 9Mbit Organización = 256k x 36 pulg Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 36bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 2.8ns
RAM estática, Alliance Memory. El AS6C1008 está bien diseñado para aplicaciones de sistemas de muy baja potencia y especialmente adecuado para aplicaciones de memoria no volátil de reserva de bater...
RAM estática, Alliance Memory. El AS6C1008 está bien diseñado para aplicaciones de sistemas de muy baja potencia y especialmente adecuado para aplicaciones de memoria no volátil de reserva de bater...
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 128k x 8 bits Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns Ancho del Bus de Direcciones = 8bit Baj...
Tamaño de la Memoria = 16Mbit Organización = 1M x 16 bit Número de Palabras = 1 M Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit Fre...
Alta velocidad TAA = 10 ns Código de corrección de errores (ECC) incorporado para la corrección de errores de un bit Baja potencia activa ICC = 90 mA típico Baja potencia de espera CMOS ISB2 = 20 m...
CY7C1061G and CY7C1061GE are high-performance CMOS fast static RAM devices with embedded ECC. Both devices are offered in single and dual chip enable options and in multiple pin configurations. The...
Tamaño de la Memoria = 16Mbit Organización = 1M x 16 bit Número de Palabras = 1M Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit Frec...
High speed tAA = 10 ns/15 ns Embedded error-correcting code (ECC) for single-bit error correction Low active and standby current ICC = 90 mA typical ISB2 = 20 mA typical Operating voltage range: 1....
Tamaño de la Memoria = 16Mbit Organización = 512 k x 16 bits Número de Palabras = 512k Número de Bits de Palabra = 32bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bi...
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 128 K x 8 Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Pin- and function-compatible with CY7C109B/CY7C1009B High speed tAA = 10 ns Low active power ICC = 80 mA at 10 ns Low CMOS standby power ISB2 = 3 mA 2.0 V Data Retention Automatic power-down when d...
The Cypress CY14X101PA combines a 1-Mbit nv SRAM[1] with a full-featured RTC in a monolithic integrated circuit with serial SPI interface. The memory is organized as 128K words of 8 bits each. The ...
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 128k x 8 bits Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 15ns Frecuencia de Reloj = 104MHZ Baja Poten...
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 128k x 8 bits Número de Palabras = 128k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 8bit Fre...
Compatible con pines y funciones con CY7C1018CV33 Alta velocidad TAA = 10 ns Baja Potencia Activa ICC = 60 mA a 10 ns Baja Potencia De Espera Cmos ISB2 = 3 mA Retención de datos de 2,0 V. Apagado a...
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 64k x 16 bits Número de Palabras = 64k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit Fr...
Este dispositivo dispone de una función de desconexión automática que reduce significativamente el consumo de energía cuando se anula la selección. La escritura en el dispositivo se realiza tomando...
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 64k x 16 bits Número de Palabras = 64k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit Fr...
Este dispositivo dispone de una función de desconexión automática que reduce significativamente el consumo de energía cuando se anula la selección. Los contactos de entrada y salida (I/O0 a través ...
Tamaño de la Memoria = 1Mbit Organización = 64k x 16 bits Número de Palabras = 64k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Tipo de Temporizador = Asíncrono Tipo d...
Temperature ranges Industrial: –40 °C to 85 °C Automotive-A: –40 °C to 85 °C Pin-and function-compatible with CY7C1021CV33 High speed tAA = 10 ns Low active power ICC = 60 mA @ 10 ns Low CMOS stand...
Rango de temperaturas –40 °C a 85 °C. Pasador y función compatibles con CY7C199C Alta velocidad TAA = 10 ns Baja potencia activa ICC = 80 mA a 10 ns Baja potencia en espera de CMOS ISB2 = 3 mA rete...
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 256 K x 16 Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit Frec...
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 256 K x 16 Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit Frec...
High speed tAA = 10 ns/15 ns Embedded ECC for single-bit error correction[1, 2] Low active and standby currents Active current: ICC = 38 mA typical Standby current: ISB2 = 6 mA typical Operating vo...
Velocidad muy alta: 45 ns Rango de temperaturas Industrial: De –40 °C a +85 °C. Amplio rango de tensión: De 2.20 V a 3.60 V. Potencia de espera ultra baja Corriente de espera típica: 1 A Corriente ...
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 256k x 16 bits Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit ...
High speed tAA = 10 ns Temperature range Automotive-E: -40°C to 125°C Automotive-A: -40°C to 85°C Embedded ECC for single-bit error correction[1, 2] Low active and standby currents Active current I...
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 256k x 16 bits Número de Palabras = 256k Número de Bits de Palabra = 16bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Ancho del Bus de Direcciones = 16bit ...
High speed tAA = 10 ns / 15 ns Low active and standby currents Active current: ICC = 38-mA typical Standby current: ISB2 = 6-mA typical Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, and...
CY7C1049GN is a high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data writes are performed by asserting the Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW, while p...
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 512K x 8 Número de Palabras = 512k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor. Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de ...
Tamaño de la Memoria = 4Mbit Organización = 512k x 8 bits Número de Palabras = 512k Número de Bits de Palabra = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 45ns Ancho del Bus de Direcciones = 8bit Fre...
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias.
* En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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