64-Kbit ferro electric random access memory (F-RAM) logically organized as 8K x 8 High-endurance 10 trillion (1013) read/writes 121-year data retention (See the Data Retention and Endurance table) ...
Tamaño de la Memoria = 64kbit Organización = 8K x 8 bit Tipo de Interfaz = Serie I2C Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 3000ns Tipo de Montaje = Montaje superficial T...
Tamaño de la Memoria = 64kbit Organización = 8K x 8 bit Tipo de Interfaz = Serie SPI Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 25ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Tip...
64-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 8K x 8 High-endurance 10 trillion (1013) read/writes 121-year data retention (See the Data Retention and Endurance table) N...
Tamaño de la Memoria = 2Mbit Organización = 256K x 8 bit Tipo de Interfaz = Serie SPI Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 9ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Tip...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
Tamaño de la Memoria = 4kbit Organización = 512 x 8 Tipo de Interfaz = I2C Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de Encap...
Cypress Semiconductor FM24C04B es una memoria no volátil de 4 Kbits que emplea un Advanced ferroelectric Process. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lect...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
Tamaño de la Memoria = 4kbit Organización = 512M x 8 bit Tipo de Interfaz = I2C Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 550ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
16-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 2K x 8 High-endurance 100 trillion (1014) read/writes 151-year data retention (See Data Retention and Endurance on page 10)...
Tamaño de la Memoria = 16kbit Organización = 2K x 8 bit Tipo de Interfaz = I2C Ancho del Bus de Datos = 8bit Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de Encapsulado = SOIC Conteo de Pines = 8 Dim...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
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Tamaño de la Memoria = 64kbit Organización = 8K x 8 bit Tipo de Interfaz = I2C Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 550ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de ...
16-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 2K x 8 High-endurance 100 trillion (1014) read/writes 151-year data retention (See Data Retention and Endurance on page 12)...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
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FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
Cypress Semiconductor FM25C160B es una memoria no volátil de 16 Kbits que emplea un Advanced ferroelectric Process. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza le...
Tamaño de la Memoria = 16kbit Organización = 2K x 8 bits Tipo de Interfaz = Serie SPI Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 5ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Tip...
FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
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Tamaño de la Memoria = 4kbit Organización = 512M x 8 bit Tipo de Interfaz = Serie SPI Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 20ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Ti...
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FRAM, Cypress Semiconductor. La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como...
16-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 2K x 8 High-endurance 100 trillion (1014) read/writes 151-year data retention (See Data Retention and Endurance on page 12)...
Tamaño de la Memoria = 16kbit Organización = 2K x 8 bit Tipo de Interfaz = SPI Ancho del Bus de Datos = 8bit Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 20ns Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de E...
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias.
* En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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