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  Diodos Schottky y Rectificadores (6.387 artículos)

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Diodo, 6A80G, 6A, 800V Conexión de silicio, R 6, 2-Pines 950mV (3 ofertas) 
Diodos rectificadores, 5 A a 16 A, Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
6A80G
a partir de € 0,194*
por unidad
 
 unidad
Diodo, 6A80G, 6A, 800V Conexión de silicio, R 6, 2-Pines 950mV (1 oferta) 
Diodos rectificadores, 5 A a 16 A, Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
6A80G
a partir de € 6,45*
por 25 unidades
 
 envase
Diodo, B0520LW RH, 500mA, 20V Barrera Schottky, SOD-123, 2-Pines 385mV (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
B0520LW RH
€ 210,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Diodo, B0520LW RHG, 500mA, 20V Barrera Schottky, SOD-123, 2-Pines 385mV (2 ofertas) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
B0520LW RHG
a partir de € 0,315*
por 5 unidades
 
 envase
Diodo, B0540W RHG, Rectificador Schottky, 500mA, 40V Barrera Schottky, SOD-123, 2-Pines 620mV (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
B0540W RH
€ 2,35*
por 50 unidades
 
 envase
Diodo, B0540W RHG, Rectificador Schottky, 500mA, 40V Barrera Schottky, SOD-123, 2-Pines 620mV (4 ofertas) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
B0540W RHG
a partir de € 0,042*
por unidad
 
 unidad
Diodo, BAS40-04 RF, 200mA, 40V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS40-04 RF
€ 0,05*
por unidad
 
 unidades
Diodo, BAS40-04 RF, 200mA, 40V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS40-04 RF
a partir de € 17,00*
por 250 unidades
 
 envase
Diodo, BAS40-05 RF, 200mA, 40V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS40-05 RF
€ 120,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Diodo, BAS40-05 RF, 200mA, 40V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS40-05 RF
a partir de € 9,00*
por 250 unidades
 
 envase
Diodo, BAS70-04 RF, 70mA, 70V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS70-04
a partir de € 3,60*
por 100 unidades
 
 envase
Diodo, BAS70-04 RF, 70mA, 70V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines (2 ofertas) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS70-04 RF
a partir de € 0,032*
por unidad
 
 unidad
Diodo, BAS70-05 RF, 70mA, 70V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS70-05 RF
€ 60,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Diodo, BAS70-05 RF, 70mA, 70V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS70-05 RF
€ 6,00*
por 250 unidades
 
 envase
Diodo, BAT42WS RR, 200mA, 30V Schottky, 5ns, SOD-323F, 2-Pines 650mV (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAT42WS RR
€ 114,00*
por 3.000 unidades
 
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