Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de ...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 190 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = BSS123I Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Modo de Canal = Redu...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN1006 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resiste...
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de m...
El Infineon SN7002I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
Typical applications for the BSS138L N-Channel Power MOSFET are DC-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and c...
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 480 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 310 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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