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  Mosfet (11.952 artículos)

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Nexperia
NX7002AK,215
a partir de € 0,0171*
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Nexperia
BSS84AK
a partir de € 0,0191*
por unidad
 
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Diodes
DMN65D8L-7
a partir de € 0,0199*
por unidad
 
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MOSFET DiodesZetex 2N7002-7-F, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
Diodes
2N7002-7-F
a partir de € 0,0203*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
BSS138P,215
a partir de € 0,023*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002WG, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002WT1G
a partir de € 0,0232*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002LG, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002LT1G
a partir de € 0,0234*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
BSS84AKW,115
a partir de € 0,0244*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Toshiba T2N7002AK,LM(T, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
Toshiba
T2N7002AK,LM(T
a partir de € 0,025*
por unidad
 
 unidades
MOSFET DiodesZetex MMBF170-7-F, VDSS 60 V, ID 500 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
Diodes
MMBF170-7-F
a partir de € 0,0251*
por unidad
 
 unidades
Diodes
2N7002E-7-F
a partir de € 0,0256*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
BSS84,215
a partir de € 0,0279*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RK7002BMT116, VDSS 60 V, ID 250 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de ...
ROHM Semiconductor
RK7002BMT116
a partir de € 0,028*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
BSS138PW
a partir de € 0,0293*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
NX3008NBK,215
a partir de € 0,0293*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002KG, VDSS 60 V, ID 380 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002KT1G
a partir de € 0,03*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
2N7002,215
a partir de € 0,0303*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia BSS123,215, VDSS 100 V, ID 150 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
Nexperia
BSS123,215
a partir de € 0,0304*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi MMBF170, VDSS 60 V, ID 500 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
MMBF170
a partir de € 0,031*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon BSS123IXTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-223 de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 190 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = BSS123I Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Modo de Canal = Redu...
Infineon
BSS123IXTSA1
a partir de € 0,0312*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
NX3008PBK
a partir de € 0,0313*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002LG, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002LT3G
a partir de € 0,032*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BSS123, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
BSS123
a partir de € 0,032*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2450UFB4-7R, VDSS 20 V, ID 1 A, X2-DFN1006 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN1006 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resiste...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
a partir de € 0,0325*
por unidad
 
 unidades
Diodes
DMN313DLT-7
a partir de € 0,0334*
por unidad
 
 envase
Nexperia
NX3008NBKW,115
a partir de € 0,0337*
por unidad
 
 unidad
Nexperia
2N7002PW,115
a partir de € 0,0343*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS123LG, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
onsemi
BSS123LT1G
a partir de € 0,0345*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NDS0605, VDSS 60 V, ID 180 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de m...
onsemi
NDS0605
a partir de € 0,0345*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon SN7002IXTSA1, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
El Infineon SN7002I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
Infineon
SN7002IXTSA1
a partir de € 0,035*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
2N7002P,215
a partir de € 0,035*
por unidad
 
 unidad
Nexperia
NX3008PBKW,115
a partir de € 0,035*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138L, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
Typical applications for the BSS138L N-Channel Power MOSFET are DC-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and c...
onsemi
BSS138L
a partir de € 0,035*
por unidad
 
 unidades
Diodes
2N7002DW-7-F
a partir de € 0,036*
por unidad
 
 unidades
Diodes
BSS84W-7-F
a partir de € 0,036*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS84PH6327XTSA2
a partir de € 0,036*
por unidad
 
 unidad
onsemi
NTJD5121NT1G
a partir de € 0,036*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi MMBF170LG, VDSS 60 V, ID 500 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
MMBF170LT1G
a partir de € 0,0363*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NTR4003NG, VDSS 30 V, ID 560 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
onsemi
NTR4003NT1G
a partir de € 0,0364*
por unidad
 
 unidades
Diodes
2N7002W-7-F
a partir de € 0,0365*
por unidad
 
 unidades
MOSFET DiodesZetex DMC2991UDA-7B, VDSS 20 V, ID 480 mA, X2-DFN0806-6 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 480 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Diodes
DMC2991UDA-7B
a partir de € 0,037*
por unidad
 
 unidades
Infineon
2N7002H6327XTSA2
a partir de € 0,037*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM BSS138WT106, VDSS 60 V, ID 310 mA, UMT3 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 310 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...
ROHM Semiconductor
BSS138WT106
a partir de € 0,037*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138LG, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
onsemi
BSS138LT1G
a partir de € 0,0374*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BSS138, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138
a partir de € 0,038*
por unidad
 
 unidad
Diodes
BSS123W-7-F
a partir de € 0,0384*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138LG, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
onsemi
BSS138LT3G
a partir de € 0,0384*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
2N7002BK,215
a partir de € 0,0388*
por unidad
 
 unidad
Nexperia
PMF170XP,115
a partir de € 0,0391*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BSS138K, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138K
a partir de € 0,0391*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM BSS84WT106, VDSS 60 V, ID 210 mA, UMT3 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 210 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
a partir de € 0,04*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NDS7002A, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
NDS7002A
a partir de € 0,04*
por unidad
 
 unidad
Infineon
2N7002DWH6327XTSA1
a partir de € 0,0414*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1
a partir de € 0,0416*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
FDV303N
a partir de € 0,0419*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7002K, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002K
a partir de € 0,042*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTA4001NG, VDSS 20 V, ID 240 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
onsemi
NTA4001NT1G
a partir de € 0,0426*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSD214SNH6327XTSA1
a partir de € 0,0434*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS84LG, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
BSS84LT1G
a partir de € 0,0434*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
2N7002BKW,115
a partir de € 0,0436*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Nexperia NX3020NAKS,115, VDSS 30 V, ID 180 mA, TSSOP de 6 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 180 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = NX3020NAKS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia Máxima...
Nexperia
NX3020NAKS,115
a partir de € 0,0444*
por unidad
 
 unidades
Infineon
SN7002WH6327XTSA1
a partir de € 0,0445*
por unidad
 
 unidades
Diodes
DMN65D8LDW-7
a partir de € 0,0455*
por unidad
 
 envase
Diodes
2N7002T-7-F
a partir de € 0,0465*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS123NH6433XTMA1
a partir de € 0,0466*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS84PWH6327XTSA1
a partir de € 0,047*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTE4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 915 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SOT-523 (SC-89) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3...
onsemi
NTE4153NT1G
a partir de € 0,047*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NTS4101PG, VDSS 20 V, ID 1,37 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
onsemi
NTS4101PT1G
a partir de € 0,047*
por unidad
 
 unidades
MOSFET DiodesZetex DMN2451UFB4-7B, VDSS 20 V, ID 1,3 A, U-DFN1006-6 de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = U-DFN1006-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resi...
Diodes
DMN2451UFB4-7B
a partir de € 0,048*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS209PWH6327XTSA1
a partir de € 0,048*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RUC002N05HZGT116, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de señal pequeño Rohm dispone de conmutación muy rápida. Se utiliza principalmente en circuito de conmutación, interruptor de carga de lado bajo y controlador de relé.Sin plomo En conform...
ROHM Semiconductor
RUC002N05HZGT116
a partir de € 0,048*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon BSS123IXTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-223 de 4 pines (1 oferta) 
El Infineon BSS123I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
Infineon
BSS123IXTSA1
a partir de € 0,049*
por unidad
 
 unidades
Infineon
SN7002NH6327XTSA2
a partir de € 0,049*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon BSS138IXTSA1, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines (3 ofertas) 
El Infineon BSS138I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
Infineon
BSS138IXTSA1
a partir de € 0,05*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM BSS670T116, VDSS 60 V, ID 650 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 650 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
BSS670T116
a partir de € 0,05*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RE1E002SPTCL, VDSS 30 V, ID 250 mA, SOT-416FL de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOT-416FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
ROHM Semiconductor
RE1E002SPTCL
a partir de € 0,05*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RK7002BMHZGT116, VDSS 60 V, ID 250 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de señal pequeño Rohm dispone de conmutación muy rápida. Se utiliza principalmente en circuito de conmutación, interruptor de carga de lado bajo y controlador de relé.Sin plomo En conform...
ROHM Semiconductor
RK7002BMHZGT116
a partir de € 0,05*
por unidad
 
 unidades
Infineon
ISS55EP06LMXTSA1
a partir de € 0,05*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS7728NH6327XTSA2
a partir de € 0,0504*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon BSS138IXTSA1, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
Infineon
BSS138IXTSA1
a partir de € 0,051*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS223PWH6327XTSA1
a partir de € 0,051*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®. Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos...
Infineon
BSS84P
€ 0,051*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS131H6327XTSA1
a partir de € 0,0517*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
NX2301P,215
a partir de € 0,0524*
por unidad
 
 unidades
Diodes
DMP2305U-7
a partir de € 0,0526*
por unidad
 
 unidades
MOSFET DiodesZetex DMN31D5UDAQ-7B, VDSS 30 V, ID 400 mA, X2-DFN0806-6 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 400 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Diodes
DMN31D5UDAQ-7B
a partir de € 0,054*
por unidad
 
 unidades
Infineon
IRLML2402TRPBF
a partir de € 0,054*
por unidad
 
 unidad
Nexperia
BSS138BK,215
a partir de € 0,0542*
por unidad
 
 unidad
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1
a partir de € 0,0545*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
BSS138PS,115
a partir de € 0,0545*
por unidad
 
 unidades
Nexperia
2N7002PS,115
a partir de € 0,0546*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS806NEH6327XTSA1
a partir de € 0,0547*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS214NH6327XTSA1
a partir de € 0,0567*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138W, VDSS 50 V, ID 210 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138W
a partir de € 0,0569*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSS123NH6327XTSA1
a partir de € 0,057*
por unidad
 
 unidad
Nexperia
NX3008CBKS,115
a partir de € 0,057*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RYM002N05T2CL, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-723 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = SOT-723 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RYM002N05T2CL
a partir de € 0,057*
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MOSFET Toshiba SSM6N7002KFU,LF(T, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = US6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia...
Toshiba
SSM6N7002KFU,LF(T
a partir de € 0,057*
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MOSFET onsemi 2N7002KW, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002KW
a partir de € 0,0579*
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Diodes
BS870-7-F
€ 0,058*
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