Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  >  > Mosfet ---

  Mosfet (941 artículos)

Los artículos siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
MOSFET STMicroelectronics STWA75N60DM6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 72 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
ST Microelectronics
STWA75N60DM6
a partir de € 9,93667*
por unidad
 
 unidades
MOSFET STMicroelectronics STWA75N60M6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDm...
ST Microelectronics
STWA75N60M6
a partir de € 7,92*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2F12M12W2-F1, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK 2 Tipo de Montaje = Montaje en panel
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
€ 3.821,634*
por 18 unidades
 
 envase
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2F12M12W2-F1, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK 2 Tipo de Montaje = Montaje en panel
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
a partir de € 212,316*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2U12M12W2-F2, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK 2 Tipo de Montaje = Montaje en panel
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
€ 3.832,92*
por 18 unidades
 
 envase
Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2U12M12W2-F2, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK 2 Tipo de Montaje = Montaje en panel
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
a partir de € 212,95*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple (4 ofertas) 
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
ST Microelectronics
IRF630
a partir de € 0,536*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
ST Microelectronics
IRF630
a partir de € 37,05*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics LET9045F, VDSS 80 V, ID 9 A, M250 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
ST Microelectronics
LET9045F
€ 3.370,075*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics PD55003L-E, VDSS 40 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 5 de 14 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
ST Microelectronics
PD55003L-E
a partir de € 6,485*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics PD55003L-E, VDSS 40 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 5 de 14 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
ST Microelectronics
PD55003L-E
€ 14.970,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO de 10 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
ST Microelectronics
PD55015-E
a partir de € 16,526*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO de 10 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
ST Microelectronics
PD55015-E
a partir de € 15,949*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E de 4 pines (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 65 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima...
ST Microelectronics
RF2L16180CB4
€ 17.148,00*
por 120 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E de 4 pines (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 65 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima...
ST Microelectronics
RF2L16180CB4
a partir de € 142,907*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   63   siguiente
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.