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Transistor MOSFET Infineon ISC027N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 192 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 192 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de...
Infineon
ISC027N10NM6ATMA1
€ 8.730,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET Infineon ISC027N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 192 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 192 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de...
Infineon
ISC027N10NM6ATMA1
a partir de € 2,55*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET Infineon IPZ65R019C7XKSA1, ID 75 A, PG-TO 247-4 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tipo de Encapsulado = PG-TO 247-4
Infineon
IPZ65R019C7XKSA1
a partir de € 16,494*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET Infineon IPZ40N04S5L7R4ATMA1, VDSS 16 V, ID 40 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 16 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
a partir de € 0,52*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET Infineon IPZ40N04S5L2R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 14 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
a partir de € 0,75*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET Infineon IPW65R095C7XKSA1, ID 24 A, PG-TO 247 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tipo de Encapsulado = PG-TO 247
Infineon
IPW65R095C7XKSA1
a partir de € 4,901*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET Infineon IPW60R105CFD7XKSA1, ID 21 A, PG-TO 247-3 de 3 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A Tipo de Encapsulado = PG-TO 247-3 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Número de Elementos por Chip = 1
Infineon
IPW60R105CFD7XKSA1
a partir de € 3,97*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET Infineon IPW60R070P6XKSA1, ID 53,5 A, PG-TO 247 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 53,5 A Tipo de Encapsulado = PG-TO 247
Infineon
IPW60R070P6XKSA1
a partir de € 5,683*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET Infineon IPW60R040C7XKSA1, ID 50 A, PG-TO 247 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tipo de Encapsulado = PG-TO 247
Infineon
IPW60R040C7XKSA1
a partir de € 8,693*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET Infineon IPU80R1K4P7AKMA1, ID 2,7 A, PG-TO251-3 de 3 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,7 A Tipo de Encapsulado = PG-TO251-3 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Número de Elementos por Chip = 1
Infineon
IPU80R1K4P7AKMA1
a partir de € 0,609*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET Infineon IPT059N15N3ATMA1, ID 155 A, PG-HSOF-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 155 A Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-8
Infineon
IPT059N15N3ATMA1
a partir de € 6,346*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET Infineon IPT022N10NF2SATMA1, VDSS 100 V, ID 236 A, PG-HSOF-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 236 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SP005679731
€ 4.383,00*
por 1.800 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET Infineon IPT022N10NF2SATMA1, VDSS 100 V, ID 236 A, PG-HSOF-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 236 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SP005679731
a partir de € 3,654*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET Infineon IPT017N10NF2SATMA1, VDSS 100 V, ID 294 A, PG-HSOF-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 294 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SP005612527
€ 4.631,40*
por 1.800 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET Infineon IPT017N10NF2SATMA1, VDSS 100 V, ID 294 A, PG-HSOF-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 294 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SP005612527
a partir de € 4,287*
por unidad
 
 unidad
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