Mosfet | MERCATEO (Página 7/724)

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MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®. Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos...

Infineon

BSS84P

Sin datos

€ 0,051*
por unidad

Infineon BSS131 transistore 55 V (3 ofertas)

Infineon

BSS131H6327XTSA1

Sin datos

a partir de € 0,0517*
por unidad

Infineon BSS223PW transistore 20 V (4 ofertas)

Infineon

BSS223PWH6327XTSA1

Sin datos

a partir de € 0,0517*
por unidad

MOSFET Nexperia NX2301P,215, VDSS 20 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal P, Nexperia

Nexperia

NX2301P,215

Sin datos

a partir de € 0,0527*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN2300UFB4-7B, VDSS 20 V, ID 1,3 A, X2-DFN1006 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.

Diodes

DMN2300UFB4-7B

Sin datos

a partir de € 0,054*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN31D5UDAQ-7B, VDSS 30 V, ID 400 mA, X2-DFN0806-6 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 400 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Diodes

DMN31D5UDAQ-7B

Sin datos

a partir de € 0,054*
por unidad

MOSFET Nexperia BSS138BK,215, VDSS 60 V, ID 360 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

Nexperia

BSS138BK,215

Sin datos

a partir de € 0,0541*
por unidad

MOSFET Infineon BSS214NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas)

MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™

Infineon

BSS214NWH6327XTSA1

Sin datos

a partir de € 0,0546*
por unidad

Infineon BSS214N transistore 20 V (4 ofertas)

Infineon

BSS214NH6327XTSA1

Sin datos

a partir de € 0,0565*
por unidad

MOSFET onsemi BSS138W, VDSS 50 V, ID 210 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas)

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...

onsemi

BSS138W

Sin datos

a partir de € 0,0567*
por unidad

MOSFET Nexperia NX3008CBKS,115, VDSS 30 V, ID 200 mA, 350 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos (3 ofertas)

MOSFET de canal N/P doble, Nexperia

Nexperia

NX3008CBKS,115

Sin datos

a partir de € 0,057*
por unidad

MOSFET ROHM RYM002N05T2CL, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-723 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = SOT-723 Tipo de Montaje = Montaje superficial

ROHM Semiconductor

RYM002N05T2CL

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a partir de € 0,057*
por unidad

MOSFET Toshiba SSM6N7002KFU,LF(T, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = US6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia...

Toshiba

SSM6N7002KFU,LF(T

Sin datos

a partir de € 0,057*
por unidad