Mosfet ST Microelectronics | MERCATEO (Página 2/63)

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MOSFET STMicroelectronics RF5L08350CB4, VDSS 110 V, B4E de 5 pines (1 oferta)

Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...

ST Microelectronics

RF5L08350CB4

€ 17.148,00*
por 120 unidades

MOSFET STMicroelectronics RF5L08350CB4, VDSS 110 V, B4E de 5 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

RF5L08350CB4

a partir de € 142,907*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7

ST Microelectronics

SCT040H65G3AG

a partir de € 9,46*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7

ST Microelectronics

SCT040H65G3AG

a partir de € 12,28*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

SCT040HU65G3AG

a partir de € 10,622*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (1 oferta)

ST Microelectronics

SCT040HU65G3AG

a partir de € 11,91*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT055HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, HU3PAK (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

SCT055HU65G3AG

a partir de € 9,23*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT055HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, HU3PAK (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

SCT055HU65G3AG

a partir de € 9,90*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT1000N170, VDSS 1700 V, ID 7 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1700 V Serie = SCT1000N170 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenci...

ST Microelectronics

SCT1000N170

a partir de € 5,98*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT1000N170, VDSS 1700 V, ID 7 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta)

SiC MOSFETSTMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una res...

ST Microelectronics

SCT1000N170

a partir de € 10,326*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SiC MOSFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...

ST Microelectronics

SCT20N120H

a partir de € 9,65*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines (1 oferta)

STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmi...

ST Microelectronics

SCT20N120H

a partir de € 9,643*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión ...

ST Microelectronics

SCT30N120

a partir de € 14,24*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

ST Microelectronics

SCT30N120

a partir de € 18,058*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas)

El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 55m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7

a partir de € 9,02*
por unidad

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