Mosfet | MERCATEO (Página 17/724)

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MOSFET onsemi FDMS4D5N08LC, VDSS 80 V, ID 116 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de ON Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la...

onsemi

FDMS4D5N08LC

€ 3.411,00*
por 3.000 unidades

MOSFET DiodesZetex DMTH4001STLW-13, VDSS 40 V, ID 300 A, PowerDI1012-8 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PowerDI1012-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Nú...

Diodes

DMTH4001STLW-13

€ 3.405,00*
por 1.500 unidades

Infineon IRFH5215 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IRFH5215TRPBF

a partir de € 3.403,80*
por 4.000 unidades

MOSFET Toshiba TPH3R704PL, VDSS 40 V, ID 92 A, SOP de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

Convertidores dc-dc de alta eficiencia Reguladores de tensión de conmutación Controladores para motor Conmutación de alta velocidad Carga de puerta pequeña: QSW = 8,1 nC (típ.) Carga de salida pequ...

Toshiba

TPH3R704PL

a partir de € 3.395,00*
por 5.000 unidades

Transistor MOSFET Infineon ISZ080N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 75 A, TSDSON de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TSDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de...

Infineon

ISZ080N10NM6ATMA1

€ 3.385,00*
por 5.000 unidades

MOSFET onsemi FDMS2672, VDSS 200 V, ID 20 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispos...

onsemi

FDMS2672

€ 3.378,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Infineon IMW120R040M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...

Infineon

IMW120R040M1HXKSA1

€ 3.370,80*
por 240 unidades

MOSFET STMicroelectronics LET9045F, VDSS 80 V, ID 9 A, M250 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...

ST Microelectronics

LET9045F

€ 3.370,075*
por 25 unidades

Infineon IPG20N04S4L-07A transistore 40 V (1 oferta)

Infineon

IPG20N04S4L07AATMA1

€ 3.340,00*
por 5.000 unidades

MOSFET onsemi NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines, , config. Simple (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 203 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia ...

onsemi

NVMFS6H800NT1G

€ 3.325,50*
por 1.500 unidades

Infineon IPB083N15N5LF transistore 150 V (1 oferta)

Infineon

IPB083N15N5LFATMA1

€ 3.319,00*
por 1.000 unidades

MOSFET Vishay SISD5300DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 198 A, 1212-F de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 198 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = 1212-F Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de C...

Vishay

SISD5300DN-T1-GE3

€ 3.315,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Vishay SQJQ186ER-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 430 A, PowerPAK 8 x 8 LR de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 430 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 8 x 8 LR Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = ...

Vishay

SQJQ186ER-T1_GE3

€ 3.308,00*
por 2.000 unidades

MOSFET onsemi FDMS86200, VDSS 150 V, ID 35 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86200

€ 3.291,00*
por 3.000 unidades

MOSFET ROHM BSM300C12P3E301, VDSS 1.200 V, ID 300 A, Lote (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Lote Tipo de Montaje = Montaje roscado

ROHM Semiconductor

BSM300C12P3E301

€ 3.275,048*
por 4 unidades

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