Mosfet | MERCATEO (Página 12/724)

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MOSFET Vishay SIJ4819DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 44,4 A, SO-8L de 7 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = SO-8L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Modo de C...

Vishay

SIJ4819DP-T1-GE3

a partir de € 4.140,63*
por 3.000 unidades

MOSFET onsemi NTMJS0D9N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 330 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.

onsemi

NTMJS0D9N04CLTWG

€ 4.137,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Vishay SIDR570EP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 90,9 A, PowerPAK SO-8DC de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8DC Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SIDR570EP-T1-RE3

a partir de € 4.134,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Vishay SQJQ936EL-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, 8 x 8L de 4 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = 8 x 8L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Modo de C...

Vishay

SQJQ936EL-T1_GE3

€ 4.128,00*
por 2.000 unidades

Infineon IAUC90N10S5N062 transistore 100 V (1 oferta)

Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1

€ 4.115,00*
por 5.000 unidades

MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA00DP-T1-GE3

€ 4.101,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Infineon FF6MR12KM1BOSA1, VDSS 1.200 V, ID 250 A, AG-62MM (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = FF6MR Tipo de Montaje = Montaje roscado Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5.81 mΩ ...

Infineon

FF6MR12KM1BOSA1

€ 4.095,55*
por 10 unidades

MOSFET ROHM BSM120C12P2C201, VDSS 1.200 V, ID 134 A, Bandeja (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 134 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado

ROHM Semiconductor

BSM120C12P2C201

€ 4.092,216*
por 12 unidades

Infineon BSC040N08NS5 transistore 80 V (1 oferta)

Infineon

BSC040N08NS5ATMA1

€ 4.080,00*
por 5.000 unidades

Infineon IAUC100N08S5N043 transistore 80 V (1 oferta)

Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1

€ 4.050,00*
por 5.000 unidades

MOSFET Vishay SIR870ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR870ADP-T1-GE3

€ 4.035,00*
por 3.000 unidades

MOSFET STMicroelectronics STB11NM80T4, VDSS 800 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB11NM80T4

€ 3.986,00*
por 1.000 unidades

MOSFET Vishay SIR5110DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 47,6 A, SO-8 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 47,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de C...

Vishay

SIR5110DP-T1-RE3

€ 3.984,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Vishay SQ4401EY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 17 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ4401EY-T1-GE3

€ 3.969,00*
por 3.000 unidades

MOSFET STMicroelectronics STD18N55M5, VDSS 550 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...

ST Microelectronics

STD18N55M5

€ 3.957,50*
por 2.500 unidades

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