Mosfet | MERCATEO (Página 10/797)

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MOSFET Infineon IPTG063N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 143 A, PG-HSOG-8 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 143 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOG-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...

Infineon

SP005676956

€ 4.716,00*
por 1.800 unidades

Módulo MOSFET Wolfspeed CCB021M12FM3, VDSS 1200 V, ID 53 A (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 53 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Montaje = Montaje en panel

Wolfspeed

CCB021M12FM3

€ 4.682,88*
por 18 unidades

MOSFET Infineon ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

El Infineon ISC010N04NM6 es un MSOFET de potencia de 6 A OPTIMOSTM de nivel normal de 40V V. El Infineon ofrece una solución de referencia para aplicaciones requeridas de nivel normal como aplicaci...

Infineon

ISC010N04NM6ATMA1

€ 4.660,00*
por 5.000 unidades

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04CR, VDSS 40 V, ID 644 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 644 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PDFN56 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,5 mΩ Modo de Canal = Mejor...

Taiwan Semiconductor

TSM025NB04CR

€ 4.637,50*
por 2.500 unidades

Transistor MOSFET Infineon IPT017N10NF2SATMA1, VDSS 100 V, ID 294 A, PG-HSOF-8 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 294 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

SP005612527

€ 4.631,40*
por 1.800 unidades

Infineon IPB110N20N3LF transistore 200 V (1 oferta)

Infineon

IPB110N20N3LFATMA1

€ 4.628,00*
por 1.000 unidades

MOSFET onsemi NTMFS7D8N10GTWG, VDSS 100 V, ID 110 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

€ 4.617,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Vishay SIZF640DT-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 159 A, PowerPAIR 6 x 5FS de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 159 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PowerPAIR 6 x 5FS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = ...

Vishay

SIZF640DT-T1-GE3

€ 4.599,00*
por 3.000 unidades

MOSFET STMicroelectronics STD80N450K6, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

STD80N450K6

a partir de € 4.520,00*
por 2.500 unidades

MOSFET Vishay SIHK185N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje en PCB Conteo de Pines = 8 Modo...

Vishay

SIHK185N60EF-T1GE3

€ 4.508,00*
por 2.000 unidades

MOSFET Infineon IRFH5006TRPBF, VDSS 60 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...

Infineon

IRFH5006TRPBF

€ 4.468,00*
por 4.000 unidades

MOSFET STMicroelectronics STB45N65M5, VDSS 710 V, ID 35 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...

ST Microelectronics

STB45N65M5

€ 4.468,00*
por 1.000 unidades