MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potenc...
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad d...
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NTMFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
MOSFET de alimentación de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficaces que incluye alto rendimiento térmico. Ideal para automoción.Características Baja resistencia C...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 111 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 49 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = NVMFD5C672NL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductors proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while pr...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 350 mW Número de Elementos por Chip = 1
Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 350 mW Número de Elementos por Chip = 1
Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 350 mW Número de Elementos por Chip = 1
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