Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 102 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador Estos dispositivos n...
Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Power 88 Package, Industry Standard These Devices are Pb−Free,...
Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free Typical Appli...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 554.5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = DFNW8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resisten...
on Semiconductor serie NTMFS es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Normalmente se utiliza rectificación síncrona y conversión dc-dc.Sin plomo En conformidad co...
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Flanco sumergible para inspección óp...
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispos...
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador LFPAK-E Package, Ind...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 313 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Má...
MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = Power88 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resisten...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 114 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 154 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTP067N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
El MOSFET de potencia de canal N único DE on Semiconductor funciona con 136 amperios y 80 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de conmutación de carga/FET de anillo, rectificador síncrono y c...
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de m...
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de ON Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la...
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispos...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 203 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia ...
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispos...
This N-Channel MV MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maint...
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión ...
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTP125N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 235 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = LFPAK8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 128 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 128 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-220F Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 31 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = NTMFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drena...
The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also p...
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 263 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SO-8FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...
El MOSFET de canal N Power Trench de puerta apantallada DE ON Semiconductor tiene una tensión nominal de drenaje a fuente de 150V y una corriente de drenaje continuo nominal de 139A. Estos disposit...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 139 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
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