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  Mosfet (1.386 artículos)

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MOSFET onsemi SI4532DY, VDSS 30 V, ID 3,5 A, 3,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
SI4532DY
a partir de € 0,454*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi SI4435DY, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potenc...
onsemi
SI4435DY
a partir de € 0,327*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFP70N06
a partir de € 1,296*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFP70N06
a partir de € 1,179*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento...
onsemi
RFP50N06
a partir de € 1,12*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento...
onsemi
RFP50N06
a partir de € 0,931*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFP12N10L, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFP12N10L
a partir de € 0,442*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFP12N10L, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFP12N10L
a partir de € 44,45*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi RFD3055LESM9A, VDSS 60 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFD3055LESM9A
a partir de € 0,246*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFD16N06LESM9A, VDSS 60 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFD16N06LESM9A
a partir de € 0,742*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFD16N05LSM9A, VDSS 50 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento...
onsemi
RFD16N05LSM9A
a partir de € 0,374*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFD14N05SM9A, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFD14N05SM9A
a partir de € 0,298*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFD14N05LSM9A, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFD14N05LSM9A
a partir de € 0,248*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFD14N05LSM, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFD14N05LSM
a partir de € 0,406*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFD14N05L, VDSS 50 V, ID 14 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFD14N05L
a partir de € 0,713*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi RFD12N06RLESM9A, VDSS 60 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispos...
onsemi
RFD12N06RLESM9A
a partir de € 0,339*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DZ2, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NXV65HR Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 16 Resistencia Máxima Drenador-Fue...
onsemi
NXV65HR82DZ2
€ 1.743,048*
por 72 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NXV65HR82DZ2, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
El puente H del cargador de placa on Semiconductor en la serie APM16 para LLC y el convertidor dc-dc de desplazamiento de fase. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir e...
onsemi
NXV65HR82DZ2
a partir de € 24,265*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DZ1, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NXV65HR Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 16 Resistencia Máxima Drenador-Fue...
onsemi
NXV65HR82DZ1
a partir de € 22,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DZ1, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
El puente H del cargador de placa on Semiconductor en la serie APM16 para LLC y el convertidor dc-dc de desplazamiento de fase. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir e...
onsemi
NXV65HR82DZ1
a partir de € 28,186*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DS2, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = AMCA-A16 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 16 Resistencia Máxi...
onsemi
NXV65HR82DS2
€ 1.800,864*
por 72 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NXV65HR82DS2, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
El puente H del cargador de placa on Semiconductor en la serie APM16 para LLC y el convertidor dc-dc de desplazamiento de fase. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir e...
onsemi
NXV65HR82DS2
a partir de € 24,463*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DS1, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NXV65HR Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 16 Resistencia Máxima Drenador-Fue...
onsemi
NXV65HR82DS1
€ 1.676,88*
por 72 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NXV65HR82DS1, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
El puente H del cargador de placa on Semiconductor en la serie APM16 para LLC y el convertidor dc-dc de desplazamiento de fase. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir e...
onsemi
NXV65HR82DS1
a partir de € 27,374*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXH020U90MNF2PTG, VDSS 900 V, ID 149 A de 20 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 149 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 20 Material del transistor = SiC
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
a partir de € 194,765*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXH020U90MNF2PTG, VDSS 900 V, ID 149 A de 20 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 149 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 20 Material del transistor = SiC
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
a partir de € 206,366*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P90MNF1PTG, VDSS 900 V, ID 154 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 154 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
€ 3.888,36*
por 28 unidades
 
 envase
Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P90MNF1PTG, VDSS 900 V, ID 154 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 154 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
a partir de € 131,205*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, ID 114 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 114 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
€ 4.335,184*
por 28 unidades
 
 envase
Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, ID 114 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 114 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
a partir de € 146,303*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC onsemi NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.200 V, ID 304 A., F2 de 36 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 304 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = F2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 36 Resisten...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
a partir de € 248,29*
por unidad
 
 unidad
Módulo de potencia SiC onsemi NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.200 V, ID 304 A., F2 de 36 pines (1 oferta) 
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
a partir de € 275,458*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTR4503NT1G, VDSS 30 V, ID 2,5 A, SOT-23 de 3 pines (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
onsemi
NVTR4503NT1G
a partir de € 0,36*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTR4503NT1G, VDSS 30 V, ID 2,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
onsemi
NVTR4503NT1G
€ 6,45*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS6H888NTAG, VDSS 80 V, ID 12 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = WDFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
onsemi
NVTFS6H888NTAG
a partir de € 0,90*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS6H888NTAG, VDSS 80 V, ID 12 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspecti...
onsemi
NVTFS6H888NTAG
a partir de € 1,23*
por 6 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NVTFS6H888NLTAG, VDSS 80 V, ID 14 A, WDFN de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = NVT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
a partir de € 1,205*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NVTFS6H888NLTAG, VDSS 80 V, ID 14 A, WDFN de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 14 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.Certificac...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
a partir de € 0,20*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NVTFS6H854NTAG, VDSS 80 V, ID 44 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspecti...
onsemi
NVTFS6H854NTAG
a partir de € 1,68*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS6H854NTAG, VDSS 80 V, ID 44 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = WDFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
onsemi
NVTFS6H854NTAG
a partir de € 3,76*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 68 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = NVTFS6H850N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
onsemi
NVTFS6H850NTAG
€ 565,50*
por 1.500 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...
onsemi
NVTFS6H850NTAG
a partir de € 9,00*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS5C658NLTAG, VDSS 60 V, ID 109 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
NVTFS5C658NLTAG
a partir de € 0,589*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS5C658NLTAG, VDSS 60 V, ID 109 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
NVTFS5C658NLTAG
a partir de € 6,17*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS5C471NLWFTAG, VDSS 40 V, ID 41 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...
onsemi
NVTFS5C471NLWFTAG
a partir de € 0,499*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS5C471NLWFTAG, VDSS 40 V, ID 41 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 41 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = WDFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
onsemi
NVTFS5C471NLWFTAG
a partir de € 14,72*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS5C453NLWFTAG, VDSS 40 V, ID 107 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...
onsemi
NVTFS5C453NLWFTAG
a partir de € 0,689*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS5C453NLWFTAG, VDSS 40 V, ID 107 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 107 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = WDFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia...
onsemi
NVTFS5C453NLWFTAG
a partir de € 16,60*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS5124PLTAG, VDSS 60 V, ID 1,7 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
NVTFS5124PLTAG
€ 423,00*
por 1.500 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NVTFS5124PLTAG, VDSS 60 V, ID 1,7 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
NVTFS5124PLTAG
€ 15,625*
por 25 unidades
 
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