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  Mosfet (1.386 artículos)

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Transistor MOSFET onsemi NVTFS6H888NLTAG, VDSS 80 V, ID 14 A, WDFN de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = NVT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
a partir de € 1,195*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NVTFS6H888NLTAG, VDSS 80 V, ID 14 A, WDFN de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 14 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.Certificac...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
a partir de € 0,20*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G, VDSS 80 V, ID 110 A, DFN5 de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 110 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.Certifica...
onsemi
NVMFS6H824NLT1G
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G, VDSS 80 V, ID 110 A, DFN5 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 110 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = NVM Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenado...
onsemi
NVMFS6H824NLT1G
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NVHL160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17 A, TO-247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 17 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.Cert...
onsemi
NVHL160N120SC1
a partir de € 10,29*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NVHL160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxi...
onsemi
NVHL160N120SC1
a partir de € 10,566*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NVHL040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines (2 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.Cert...
onsemi
NVHL040N120SC1
a partir de € 31,94*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NVHL040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxi...
onsemi
NVHL040N120SC1
a partir de € 33,369*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NVH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Má...
onsemi
NVH4L160N120SC1
€ 5.886,45*
por 450 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NVH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 17,3 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.Ce...
onsemi
NVH4L160N120SC1
a partir de € 13,912*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NVH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 29 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en el cargador de a bordo de automoción, convertidor dc o dc, aplicaciones d...
onsemi
NVH4L080N120SC1
a partir de € 16,75*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NVH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 29 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxi...
onsemi
NVH4L080N120SC1
a partir de € 16,54*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NVH4L040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 58 A, TO-247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 58 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.Cert...
onsemi
NVH4L040N120SC1
a partir de € 30,60*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NVH4L040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 58 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
onsemi
NVH4L040N120SC1
a partir de € 30,71*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NVH4L020N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 102 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 102 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
onsemi
NVH4L020N120SC1
€ 28.143,90*
por 450 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NVH4L020N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 102 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 102 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.Cer...
onsemi
NVH4L020N120SC1
a partir de € 65,766*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NVBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NVB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drena...
onsemi
NVBG040N120SC1
a partir de € 29,00*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NVBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.Cert...
onsemi
NVBG040N120SC1
a partir de € 36,953*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTTFS5D9N08HTWG, VDSS 80 V, ID 84 A, PQFN8 de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal N único DE on Semiconductor funciona con 80 voltios y 84 amperios. Se puede utilizar en convertidores reductores dc-dc, punto de carga, interruptor de carga de alta eficiencia y ...
onsemi
NTTFS5D9N08HTWG
a partir de € 0,854*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTTFS5D9N08HTWG, VDSS 80 V, ID 84 A, PQFN8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 84 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = NTTF Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenado...
onsemi
NTTFS5D9N08HTWG
a partir de € 0,801*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTTFS3D7N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 103 A, PQFN8 de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal N único DE on Semiconductor funciona con 40 voltios y 150 amperios. Se puede utilizar en convertidores reductores dc-dc, punto de carga, interruptor de carga de alta eficiencia y...
onsemi
NTTFS3D7N06HLTWG
a partir de € 0,974*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTTFS3D7N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 103 A, PQFN8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 103 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PQFN8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenci...
onsemi
NTTFS3D7N06HLTWG
a partir de € 0,896*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTTFS2D1N04HLTWG, VDSS 40 V, ID 150 A, PQFN8 de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal N único DE on Semiconductor funciona con 40 voltios y 150 amperios. Se puede utilizar en convertidores reductores dc-dc, punto de carga, interruptor de carga de alta eficiencia y...
onsemi
NTTFS2D1N04HLTWG
a partir de € 0,862*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTTFS2D1N04HLTWG, VDSS 40 V, ID 150 A, PQFN8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = NTTF Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenad...
onsemi
NTTFS2D1N04HLTWG
a partir de € 1,467*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTTFS008P03P8Z, VDSS 30 V, ID 96 A, PQFN8 de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal P único DE on Semiconductor funciona con -30 voltios y -96 amperios. Se puede utilizar en interruptor de carga de alimentación, protección para corriente inversa, sobretensión y ...
onsemi
NTTFS008P03P8Z
a partir de € 1,28*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTTFS008P03P8Z, VDSS 30 V, ID 96 A, PQFN8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 96 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = NTTF Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenado...
onsemi
NTTFS008P03P8Z
a partir de € 1,282*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTTFD9D0N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 38 A, WQFN12 de 12 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal N doble simétrico DE on Semiconductor incluye dos MOSFET de canal N especializados en un encapsulado doble. El nodo de conmutación se ha conectado internamente para permitir una ...
onsemi
NTTFD9D0N06HLTWG
a partir de € 1,10*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTTFD9D0N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 38 A, WQFN12 de 12 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 38 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = WQFN12 Conteo de Pines = 12 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 9 Ω Modo d...
onsemi
NTTFD9D0N06HLTWG
a partir de € 1,424*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTTFD4D0N04HLTWG, VDSS 40 V, ID 60 A, WQFN12 de 12 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal N doble simétrico DE on Semiconductor incluye dos MOSFET de canal N especializados en un encapsulado doble. El nodo de conmutación se ha conectado internamente para permitir una ...
onsemi
NTTFD4D0N04HLTWG
a partir de € 1,27*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTTFD4D0N04HLTWG, VDSS 40 V, ID 60 A, WQFN12 de 12 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = NTTF Conteo de Pines = 12 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0045 Ω Modo de Canal = M...
onsemi
NTTFD4D0N04HLTWG
a partir de € 1,553*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTNS2K1P021ZTCG, VDSS 20 V, ID 127 mA, xDFN3 de 3 pines (1 oferta) 
El on Semiconductor Power Single N-Channel Power MOSFET funciona con -127 miliamperios y -20 voltios. Se puede utilizar en interruptor de carga de señal pequeña, interconexión de alta velocidad, ap...
onsemi
NTNS2K1P021ZTCG
€ 1.248,00*
por 8.000 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NTNS2K1P021ZTCG, VDSS 20 V, ID 127 mA, xDFN3 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 127 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = xDFN3 Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 10 Ω Modo ...
onsemi
NTNS2K1P021ZTCG
a partir de € 0,195*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTNS0K8N021ZTCG, VDSS 20 V, ID 220 mA, xDFN3 de 3 pines (1 oferta) 
El on Semiconductor Power Single N-Channel Power MOSFET funciona con 220 miliamperios y 80 voltios. Se puede utilizar en interruptor de carga de señal pequeña, interconexión de alta velocidad, apli...
onsemi
NTNS0K8N021ZTCG
€ 1.648,00*
por 8.000 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NTNS0K8N021ZTCG, VDSS 20 V, ID 220 mA, xDFN3 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 220 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = NTN Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 4,5 Ω Modo de Canal = Mejo...
onsemi
NTNS0K8N021ZTCG
a partir de € 0,197*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTMFSC004N08MC, VDSS 80 V, ID 136 A, DFN de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia de canal N único DE on Semiconductor funciona con 136 amperios y 80 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de conmutación de carga/FET de anillo, rectificador síncrono y c...
onsemi
NTMFSC004N08MC
€ 3.687,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor MOSFET onsemi NTMFSC004N08MC, VDSS 80 V, ID 136 A, DFN de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 136 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = NTMFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drena...
onsemi
NTMFSC004N08MC
a partir de € 1,171*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G, VDSS 25 V, ID 365 A, DFN de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor Power de un canal N funciona con 365 amperios y 25 voltios. Se puede utilizar en interruptor de carga de potencia, gestión de batería de portátil, convertidor dc/dc.Baja ...
onsemi
NTMFS0D8N02P1ET1G
a partir de € 1,528*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G, VDSS 25 V, ID 365 A, DFN de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 365 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Serie = NTMFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drena...
onsemi
NTMFS0D8N02P1ET1G
a partir de € 1,465*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTHL160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247 de 3 pines (3 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 17 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc/dc, inversor eleva...
onsemi
NTHL160N120SC1
a partir de € 4,64*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTHL160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 29 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxi...
onsemi
NTHL160N120SC1
a partir de € 4,679*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTHL040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, TO-247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc/dc, inversor eleva...
onsemi
NTHL040N120SC1
a partir de € 11,84*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTHL040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxi...
onsemi
NTHL040N120SC1
a partir de € 16,232*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 17,3 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc/dc, inversor ele...
onsemi
NTH4L160N120SC1
a partir de € 4,18*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Má...
onsemi
NTH4L160N120SC1
a partir de € 6,00*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 29 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, inversor de impulso, accionamient...
onsemi
NTH4L080N120SC1
a partir de € 7,47*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 29 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxi...
onsemi
NTH4L080N120SC1
a partir de € 9,623*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTH4L040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 58 A, TO-247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 29 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, inversor de impulso, accionamient...
onsemi
NTH4L040N120SC1
a partir de € 11,79*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTH4L040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 58 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxi...
onsemi
NTH4L040N120SC1
a partir de € 15,821*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTH4L020N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 84 A, TO-247-4 de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 102 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc o dc, inversor de...
onsemi
NTH4L020N120SC1
a partir de € 24,79*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTH4L020N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 84 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 84 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTH Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxi...
onsemi
NTH4L020N120SC1
a partir de € 24,147*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTBGS6D5N15MC, VDSS 150 V, ID 121 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (2 ofertas) 
El on Semiconductor, un canal N de alimentación MOSFET funciona con 121 amperios y 150 voltios. Se puede utilizar en herramientas eléctricas, aspiradores alimentados por batería, UAV/Drones, manipu...
onsemi
NTBGS6D5N15MC
a partir de € 2,63*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTBGS6D5N15MC, VDSS 150 V, ID 121 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 121 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = NTB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenad...
onsemi
NTBGS6D5N15MC
a partir de € 2,956*
por unidad
 
 unidades
Transistor MOSFET onsemi NTBGS4D1N15MC, VDSS 150 V, ID 185 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de canal N sencillo DE on Semiconductor funciona con 185 amperios y 150 voltios. Se puede utilizar en herramientas eléctricas, aspiradores alimentados por batería, UAV/Drones, manipulació...
onsemi
NTBGS4D1N15MC
a partir de € 2,57*
por unidad
 
 unidad
Transistor MOSFET onsemi NTBGS4D1N15MC, VDSS 150 V, ID 185 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 185 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 ...
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NTBGS4D1N15MC
a partir de € 3,426*
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Transistor MOSFET onsemi NTBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (2 ofertas) 
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc o dc, inversor de ...
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NTBG040N120SC1
a partir de € 14,17*
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Transistor MOSFET onsemi NTBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = NTB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drena...
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NTBG040N120SC1
a partir de € 15,789*
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Transistor MOSFET onsemi NTB004N10G, VDSS 100 V, ID 201 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (2 ofertas) 
El MOSFET DE on Semiconductor funciona con 201 amperios y 100 voltios. Se puede utilizar en intercambio en caliente en sistemas de 48 V.Baja resistencia de drenaje a encendido de la fuente Capacida...
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NTB004N10G
a partir de € 3,15*
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Transistor MOSFET onsemi NTB004N10G, VDSS 100 V, ID 201 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 201 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NTB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenad...
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NTB004N10G
a partir de € 3,81*
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Transistor MOSFET onsemi FDP083N15A-F102, TO-220 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 294 W Número de Elementos por Chip = 1
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FDP083N15A-F102
a partir de € 2,20*
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Transistor MOSFET onsemi FDP083N15A-F102, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.RDS(on) = 6.85mΩ...
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FDP083N15A-F102
a partir de € 17,03*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTPF360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220F de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = SUPERFET III Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenc...
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NTPF360N80S3Z
a partir de € 1,78*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTPF360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220F de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET 800V de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatur...
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NTPF360N80S3Z
a partir de € 2,095*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTP360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = SUPERFET III Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenc...
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NTP360N80S3Z
€ 1.755,20*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTP360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET 800V de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatur...
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NTP360N80S3Z
a partir de € 1,998*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTHL080N120SC1A, VDSS 1.200 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 31 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
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NTHL080N120SC1A
a partir de € 8,38*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTHL080N120SC1A, VDSS 1.200 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET 1200V de canal N SiC serie NTH de on Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con ...
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NTHL080N120SC1A
a partir de € 7,703*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTD360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = SUPERFET III Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...
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NTD360N80S3Z
a partir de € 1,229*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTD360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET 800V de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatur...
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NTD360N80S3Z
a partir de € 1,394*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTBS9D0N10MC, VDSS 100 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NTB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenado...
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NTBS9D0N10MC
a partir de € 1,10*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTBS9D0N10MC, VDSS 100 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET 100V de canal N único de on Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silici...
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NTBS9D0N10MC
a partir de € 1,16*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTBG160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 19,5 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 19,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines =...
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NTBG160N120SC1
a partir de € 4,835*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTBG160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 19,5 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET 1200V de canal N de SiC DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el sili...
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NTBG160N120SC1
a partir de € 5,45*
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi FCB125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor es una familia de MOSFET de súper unión (SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resiste...
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FCB125N65S3
€ 1.828,80*
por 800 unidades
 
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Transistor MOSFET & Diodo onsemi FCB125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SUPERFET III Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...
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FCB125N65S3
a partir de € 3,119*
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Phoenix Contact MCDNV 1,5/ 5-G1-3,5 RNP14THR bloque de terminales 5P Negro (3 ofertas)
Phoenix Contact
1952539
a partir de € 1,58*
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Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P90MNF1PTG, VDSS 900 V, ID 154 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 154 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
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NXH010P90MNF1PTG
€ 3.888,36*
por 28 unidades
 
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Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P90MNF1PTG, VDSS 900 V, ID 154 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 154 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 900 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
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NXH010P90MNF1PTG
a partir de € 131,205*
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Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, ID 114 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 114 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
€ 4.335,184*
por 28 unidades
 
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Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, ID 114 A, F1-2PACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 114 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = F1-2PACK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
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NXH010P120MNF1PTG
a partir de € 146,303*
por unidad
 
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Módulo de potencia SiC onsemi NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.200 V, ID 304 A., F2 de 36 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 304 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = F2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 36 Resisten...
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NXH006P120MNF2PTG
a partir de € 247,40*
por unidad
 
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Módulo de potencia SiC onsemi NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.200 V, ID 304 A., F2 de 36 pines (1 oferta) 
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...
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NXH006P120MNF2PTG
a partir de € 275,458*
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Módulo de potencia SiC onsemi FFSP3065A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 240 W Configuración de transistor = Simple Ancho = 4.8mm Altura = 16.51mm
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FFSP3065A
a partir de € 4,031*
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Módulo de potencia SiC onsemi FFSP3065A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
On Semiconductor SchottkyEl diodo on Semiconductor TO-220-2L de carburo de silicio (SiC) Schottky es el producto más reciente que utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendi...
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FFSP3065A
€ 8,09*
por 2 unidades
 
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MOSFET, NTPF190N65S3HF, N-Canal-Canal, 20 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 Simple (2 ofertas) 
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia ex...
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NTPF190N65S3HF
a partir de € 1,80*
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MOSFET, NTPF190N65S3HF, N-Canal-Canal, 20 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
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NTPF190N65S3HF
€ 19,55*
por 5 unidades
 
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MOSFET onsemi SI4532DY, VDSS 30 V, ID 3,5 A, 3,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
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SI4532DY
a partir de € 0,454*
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MOSFET onsemi SI4435DY, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potenc...
onsemi
SI4435DY
a partir de € 0,327*
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MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFP70N06
a partir de € 1,296*
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MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFP70N06
a partir de € 1,179*
por unidad
 
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MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento...
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RFP50N06
a partir de € 0,931*
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MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento...
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RFP50N06
a partir de € 1,12*
por unidad
 
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MOSFET onsemi RFP12N10L, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFP12N10L
a partir de € 0,442*
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MOSFET onsemi RFP12N10L, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFP12N10L
a partir de € 44,45*
por 50 unidades
 
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MOSFET onsemi RFD3055LESM9A, VDSS 60 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFD3055LESM9A
a partir de € 0,246*
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MOSFET onsemi RFD16N06LESM9A, VDSS 60 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFD16N06LESM9A
a partir de € 0,732*
por unidad
 
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MOSFET onsemi RFD16N05LSM9A, VDSS 50 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento...
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RFD16N05LSM9A
a partir de € 0,374*
por unidad
 
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MOSFET onsemi RFD14N05SM9A, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFD14N05SM9A
a partir de € 0,298*
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MOSFET onsemi RFD14N05LSM9A, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFD14N05LSM9A
a partir de € 0,248*
por unidad
 
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MOSFET onsemi RFD14N05LSM, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFD14N05LSM
a partir de € 0,406*
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MOSFET onsemi RFD14N05L, VDSS 50 V, ID 14 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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RFD14N05L
a partir de € 0,713*
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