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  Mosfet (1.764 artículos)

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MOSFET ON Semiconductor BS270, VDSS 60 V, ID 400 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BS270
a partir de € 0,10*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ON Semiconductor BSS84LT1G, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
BSS84LT1G
a partir de € 5,30*
por 100 unidades
 
 envase
onsemi
FDC6303N
a partir de € 0,12*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ON Semiconductor FDC658AP, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potenc...
onsemi
FDC658AP
a partir de € 0,163*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ON Semiconductor FDS4559, VDSS 60 V, ID 3,5 A, 4,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad d...
onsemi
FDS4559
a partir de € 0,288*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ON Semiconductor NDS9945, VDSS 60 V, ID 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
NDS9945
a partir de € 0,619*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ON Semiconductor NTD2955T4G, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
NTD2955T4G
a partir de € 4,15*
por 10 unidades
 
 envase
onsemi
NTD3055L104T4G
a partir de € 7,20*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor NTF3055L108T1G, VDSS 60 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
NTF3055L108T1G
a partir de € 9,76*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor NTMFSC4D2N10MC, VDSS 100 V, ID 116 A, DFN de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NTMFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
onsemi
NTMFSC4D2N10MC
a partir de € 1,609*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ON Semiconductor NVD5C478NLT4G, VDSS 40 V, ID 45 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de alimentación de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficaces que incluye alto rendimiento térmico. Ideal para automoción.Características Baja resistencia C...
onsemi
NVD5C478NLT4G
€ 1.702,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor NVMFD5C650NLWFT1G, VDSS 60 V, ID 111 A, DFN de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 111 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
onsemi
NVMFD5C650NLWFT1G
a partir de € 27,92*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor NVMFD5C672NLWFT1G, VDSS 60 V, ID 49 A, DFN de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 49 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = NVMFD5C672NL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
onsemi
NVMFD5C672NLWFT1G
a partir de € 29,825*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET ON Semiconductor RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
RFP70N06
a partir de € 1,179*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000
a partir de € 0,109*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000
a partir de € 3,90*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000_D26Z
a partir de € 13,50*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7000TA
a partir de € 0,0782*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
onsemi
2N7000-D26Z
a partir de € 0,091*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductors proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while pr...
onsemi
2N7000-D26Z
a partir de € 0,10*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7002, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002
a partir de € 1,88*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002
a partir de € 0,0698*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7002DW, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (1 oferta) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
2N7002DW
€ 183,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002DW, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (4 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
2N7002DW
a partir de € 0,059*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002K, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002K
a partir de € 0,042*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7002K, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002K
a partir de € 3,80*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002KG, VDSS 60 V, ID 380 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002KT1G
a partir de € 0,03*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002KG, VDSS 60 V, ID 380 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002KT1G
a partir de € 4,60*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002KW, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002KW
a partir de € 0,0579*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002KW, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002KW
a partir de € 10,50*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002LG, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002LT3G
a partir de € 0,032*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi 2N7002LG, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002LT1G
a partir de € 1,95*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002LG, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002LT3G
a partir de € 8,40*
por 200 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002LG, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002LT1G
a partir de € 0,0223*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002T, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002T
a partir de € 0,29*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002T, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
2N7002T
€ 2,95*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002V, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
2N7002V
a partir de € 0,138*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002V, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (1 oferta) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
2N7002V
a partir de € 8,45*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2N7002WG, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002WT1G
a partir de € 0,0231*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi 2N7002WG, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
onsemi
2N7002WT1G
a partir de € 3,50*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi 2V7002KT1G, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
onsemi
2V7002KT1G
a partir de € 0,0836*
por unidad
 
 envase
MOSFET onsemi 2V7002KT1G, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
onsemi
2V7002KT1G
a partir de € 7,00*
por 200 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BS170
a partir de € 1,15*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BS170
a partir de € 0,0762*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BS170-D26Z, TO-92 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 350 mW Número de Elementos por Chip = 1
onsemi
BS170-D26Z
a partir de € 190,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BS170-D26Z, TO-92 de 3 pines (3 ofertas) 
MOSFET, Small Signal, 500 mA, 60 VApplications This product is general usage and suitable for many different applications
onsemi
BS170-D26Z
a partir de € 0,078*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BS170-D27Z, TO-92 de 3 pines (5 ofertas) 
Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 350 mW Número de Elementos por Chip = 1
onsemi
BS170-D27Z
a partir de € 0,073*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BS170-D27Z, TO-92 de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET, Small Signal, 500 mA, 60 VApplications This product is general usage and suitable for many different applications
onsemi
BS170-D27Z
a partir de € 3,175*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BS170-D75Z, TO-92 de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET, Small Signal, 500 mA, 60 VApplications This product is general usage and suitable for many different applications
onsemi
BS170-D75Z
€ 142,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BS170-D75Z, TO-92 de 3 pines (5 ofertas) 
Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Disipación de Potencia Máxima = 350 mW Número de Elementos por Chip = 1
onsemi
BS170-D75Z
a partir de € 0,071*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BS270, VDSS 60 V, ID 400 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BS270
a partir de € 4,55*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS123, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
BSS123
a partir de € 0,032*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BSS123, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
BSS123
a partir de € 0,46*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS123LG, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
onsemi
BSS123LT1G
a partir de € 0,0345*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
onsemi
BSS123LT1G
a partir de € 2,00*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS138, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138
a partir de € 1,90*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS138, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138
a partir de € 0,038*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BSS138K, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138K
a partir de € 0,0391*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138K, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138K
a partir de € 6,30*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS138L, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
Typical applications for the BSS138L N-Channel Power MOSFET are DC-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and c...
onsemi
BSS138L
a partir de € 0,035*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138L, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
onsemi
BSS138L
a partir de € 3,70*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS138LG, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
onsemi
BSS138LT3G
€ 430,00*
por 10.000 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS138LG, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
onsemi
BSS138LT1G
a partir de € 5,625*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS138LG, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
onsemi
BSS138LT3G
a partir de € 0,0384*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138LG, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
onsemi
BSS138LT1G
a partir de € 0,0374*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi BSS138W, VDSS 50 V, ID 210 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138W
a partir de € 0,0569*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi BSS138W, VDSS 50 V, ID 210 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
onsemi
BSS138W
a partir de € 7,00*
por 100 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi BSS84, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de m...
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BSS84
a partir de € 0,108*
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MOSFET onsemi BSS84, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de m...
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BSS84
a partir de € 1,00*
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MOSFET onsemi BSS84LG, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
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BSS84LT1G
a partir de € 0,0434*
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MOSFET onsemi BUZ11_NR4941, VDSS 50 V, ID 30 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...
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BUZ11_NR4941
a partir de € 2,605*
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MOSFET onsemi BVSS138LT1G, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 50V, 200mA, 3.5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level, Pb−Free. PPAP capable suitable for automotive applications.Low Threshold Voltag...
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BVSS138LT1G
a partir de € 0,195*
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MOSFET onsemi BVSS138LT1G, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
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BVSS138LT1G
a partir de € 4,30*
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MOSFET onsemi BVSS84LT1G, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -50V -130mA 10 Ohm Single P-Channel SOT-23 Logic Level. PPAP capable suitable for automotive applications.AEC Qualified PPAP Capable Miniat...
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BVSS84LT1G
a partir de € 0,29*
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MOSFET onsemi BVSS84LT1G, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 130 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
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BVSS84LT1G
a partir de € 5,30*
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MOSFET onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, ECH de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
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ECH8310-TL-H
a partir de € 1,515*
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MOSFET onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, ECH de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
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ECH8310-TL-H
a partir de € 6,92*
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MOSFET onsemi ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (1 oferta) 
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor. El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de...
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ECH8661-TL-H
€ 1.176,00*
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MOSFET onsemi ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (1 oferta) 
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor. El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de...
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ECH8661-TL-H
€ 19,00*
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MOSFET onsemi FAM65CR51ADZ2, VDSS 650 V, ID 38 A, APMCD-A16 de 12 pines, 2elementos (2 ofertas) 
EL on Semiconductor FAM65CR51ADZ1 es un módulo MOSFET de alimentación integrado con etapa de convertidor de impulso para corrección de factor de potencia (PFC) multifase y semidesbridada con diodo....
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FAM65CR51ADZ2
a partir de € 25,82*
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MOSFET onsemi FAM65CR51ADZ2, VDSS 650 V, ID 38 A, APMCD-A16 de 12 pines, 2elementos (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 38 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = FAM Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 12 Resistencia Máxima Drenador-Fuente ...
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FAM65CR51ADZ2
a partir de € 26,414*
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MOSFET onsemi FCA20N60F, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCA20N60F
a partir de € 2,91*
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MOSFET onsemi FCA20N60F, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCA20N60F
a partir de € 3,654*
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MOSFET onsemi FCA47N60, VDSS 600 V, ID 47 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCA47N60
a partir de € 5,60*
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MOSFET onsemi FCA47N60, VDSS 600 V, ID 47 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCA47N60
a partir de € 7,742*
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MOSFET onsemi FCB070N65S3, VDSS 650 V, ID 44 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 R...
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FCB070N65S3
a partir de € 3,02*
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MOSFET onsemi FCB070N65S3, VDSS 650 V, ID 44 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión ...
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FCB070N65S3
a partir de € 18,79*
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MOSFET onsemi FCB11N60TM, VDSS 600 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCB11N60TM
a partir de € 2,733*
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MOSFET onsemi FCB11N60TM, VDSS 600 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCB11N60TM
a partir de € 1.239,20*
por 800 unidades
 
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MOSFET onsemi FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 R...
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FCB199N65S3
a partir de € 1,59*
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MOSFET onsemi FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión ...
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FCB199N65S3
a partir de € 26,47*
por 10 unidades
 
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MOSFET onsemi FCB20N60TM, VDSS 600 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCB20N60TM
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MOSFET onsemi FCB20N60TM, VDSS 600 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCB20N60TM
a partir de € 2,644*
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MOSFET onsemi FCD7N60TM, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCD7N60TM
a partir de € 0,807*
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MOSFET onsemi FCD7N60TM, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...
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FCD7N60TM
€ 4,09*
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MOSFET onsemi FCH023N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión ...
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FCH023N65S3-F155
a partir de € 13,57*
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MOSFET onsemi FCH023N65S3L4, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247-4 de 4 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión ...
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FCH023N65S3L4
a partir de € 14,23*
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MOSFET onsemi FCH023N65S3L4, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247-4 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4...
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FCH023N65S3L4
a partir de € 18,682*
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MOSFET onsemi FCH029N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
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FCH029N65S3-F155
a partir de € 13,15*
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MOSFET onsemi FCH029N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
on Semiconductor MOSFET es una nueva familia de MOSFET de unión de alta tensión de−−que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rend...
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FCH029N65S3-F155
a partir de € 14,217*
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