Mosfet Vishay | MERCATEO (Página 7/131)

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MOSFET Vishay SQ3419EV-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 7,4 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ3419EV-T1_GE3

a partir de € 0,19*
por unidad

MOSFET Vishay SI3483DDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6,4 A, TSOP-6 (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = TSOP-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SI3483DDV-T1-GE3

a partir de € 0,193*
por unidad

MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = ...

Vishay

SiS110DN-T1-GE3

a partir de € 0,193*
por unidad

MOSFET Vishay SI5513CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, ChipFET 1206-8 (2 ofertas)

Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = ChipFET 1206-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SI5513CDC-T1-GE3

a partir de € 0,196*
por unidad

MOSFET Vishay SQ2318BES-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta)

El MOSFET Vishay de canal N de automoción de 40 V (D-S) 175 °C tiene un tipo de encapsulado SOT-23.Certificación AEC-Q101 100 % RG y prueba UIS En conformidad con RoHS

Vishay

SQ2318BES-T1_GE3

a partir de € 0,196*
por unidad

MOSFET Vishay SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,9 A, 2,1 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,9 A, 2,1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = TSOP-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6...

Vishay

SI3585CDV-T1-GE3

a partir de € 0,198*
por unidad

MOSFET Vishay SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,5 A, PowerPAK SC-70-6L doble de 8 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima D...

Vishay

SIA938DJT-T1-GE3

a partir de € 0,198*
por unidad

MOSFET Vishay Si2338DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Vishay

Si2338DS-T1-GE3

a partir de € 0,198*
por unidad

MOSFET Vishay SiSHA14DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 20 A, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8SH Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...

Vishay

SiSHA14DN-T1-GE3

a partir de € 0,199*
por unidad

MOSFET Vishay IRFL9014TRPBF, VDSS 60 V, ID 1.8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL9014TRPBF