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  Mosfet (79 artículos)

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MOSFET Taiwan Semiconductor TSM650N15CR, VDSS 150 V, ID 24 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 65 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de u...
Taiwan Semiconductor
TSM650N15CR
€ 6.230,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM089N08LCR, VDSS 80 V, ID 67 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 67 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 9 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umb...
Taiwan Semiconductor
TSM089N08LCR
€ 5.500,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM045NB06CR, VDSS 60 V, ID 104 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 104 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de um...
Taiwan Semiconductor
TSM045NB06CR
€ 4.775,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM160N10LCR, VDSS 100 V, ID 46 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM160N10LCR
€ 4.770,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04LCR, VDSS 40 V, ID 161 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 161 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,5 mΩ Modo de Canal = Mejora Tensión de u...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04LCR
€ 4.750,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR, VDSS 60 V, ID 107 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM048NB06LCR
€ 4.750,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04CR, VDSS 40 V, ID 644 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 644 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,5 mΩ Modo de Canal = Mejora Tensión de u...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04CR
€ 4.637,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04CR
€ 3.675,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04LCR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04LCR
€ 3.635,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR, VDSS 40 V, ID 48 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM110NB04DCR
€ 2.905,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM250NB06DCR, VDSS 60 V, ID 30 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM250NB06DCR
€ 2.905,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM170N06PQ56, VDSS 60 V, ID 44 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM170N06PQ56
€ 2.517,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM150NB04DCR, VDSS 40 V, ID 38 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM150NB04DCR
€ 2.497,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR, VDSS 60 V, ID 25 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM300NB06DCR
€ 2.497,50*
por 2.500 unidades
 
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MOSFET Taiwan Semiconductor TSM070NB04CR, VDSS 40 V, ID 75 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PDFN56 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 7 m.Ω Modo de Canal = Mejora ...
Taiwan Semiconductor
TSM070NB04CR
€ 2.260,00*
por 2.500 unidades
 
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