Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 750 V Tipo de Encapsulado = PowerFLAT 5x6 HV Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 65 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Tipo de Encapsulado = LBB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbra...
STMicroelectronics XXXX es el FET LDMOS Art diseñado para comunicación de banda ancha e ISM con frecuencias de HF a 1 GHz. Este producto también se puede utilizar en sistemas de comunicación comerc...
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = B2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 2 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima ...
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = DPAK-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 64 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = STL1 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenad...
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 180 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de...
Este dispositivo es un MOSFET de potencia de canal N basado en la innovadora tecnología de proceso vertical MDmesh™ M5 combinada con el conocido diseño horizontal PowerMESH™. El producto resultante...
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = ST Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador...
La nueva tecnología M6 de MDmesh incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia de MOSFETs de SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmes...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = STHU47 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Tensión de umbral de pu...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3 A, 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 5 V, 12 V Serie = E-Fuse Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,04 Ω Tensión d...
The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low o...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = ECOPACK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Modo de ...
Dual MOSFET doble STripFET™ de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique ″Single Feature Size™″ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistan...
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resis...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = ECOPACK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de ...
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
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