Mosfet ST Microelectronics

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MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple (4 ofertas)

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

ST Microelectronics

IRF630

a partir de € 0,536*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple (1 oferta)

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

ST Microelectronics

IRF630

a partir de € 37,05*
por 50 unidades

MOSFET STMicroelectronics LET9045F, VDSS 80 V, ID 9 A, M250 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...

ST Microelectronics

LET9045F

€ 3.370,075*
por 25 unidades

MOSFET STMicroelectronics PD55003L-E, VDSS 40 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 5 de 14 pines, , config. Simple (1 oferta)

ST Microelectronics

PD55003L-E

a partir de € 6,485*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics PD55003L-E, VDSS 40 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 5 de 14 pines, , config. Simple (1 oferta)

ST Microelectronics

PD55003L-E

€ 14.970,00*
por 3.000 unidades

MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO de 10 pines, , config. Simple (2 ofertas)

ST Microelectronics

PD55015-E

a partir de € 16,526*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO de 10 pines, , config. Simple (1 oferta)

ST Microelectronics

PD55015-E

a partir de € 15,949*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E de 4 pines (1 oferta)

Tensión Máxima Drenador-Fuente = 65 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima...

ST Microelectronics

RF2L16180CB4

€ 17.148,00*
por 120 unidades

MOSFET STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E de 4 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

RF2L16180CB4

a partir de € 142,907*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics RF2L36075CF2, VDSS 60 V, B2 de 2 pines (1 oferta)

Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = B2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 2 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima ...

ST Microelectronics

RF2L36075CF2

€ 14.961,12*
por 120 unidades

MOSFET STMicroelectronics RF2L36075CF2, VDSS 60 V, B2 de 2 pines (1 oferta)

Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = RF2L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 2 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 2.5V

ST Microelectronics

RF2L36075CF2

a partir de € 124,671*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics RF3L05150CB4, VDSS 90 V, ID 2,5 A, LBB de 5 pines (1 oferta)

STMicroelectronics XXXX es el FET LDMOS Art diseñado para comunicación de banda ancha e ISM con frecuencias de HF a 1 GHz. Este producto también se puede utilizar en sistemas de comunicación comerc...

ST Microelectronics

RF3L05150CB4

€ 15.208,40*
por 100 unidades

MOSFET STMicroelectronics RF3L05150CB4, VDSS 90 V, ID 2,5 A, LBB de 5 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Serie = RF3L05150CB4 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxim...

ST Microelectronics

RF3L05150CB4

a partir de € 152,084*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics RF3L05250CB4, VDSS 90 V, LBB de 5 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Tipo de Encapsulado = LBB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbra...

ST Microelectronics

RF3L05250CB4

€ 16.085,00*
por 100 unidades

MOSFET STMicroelectronics RF3L05250CB4, VDSS 90 V, LBB de 5 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

RF3L05250CB4

a partir de € 160,846*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics RF5L08350CB4, VDSS 110 V, B4E de 5 pines (1 oferta)

Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...

ST Microelectronics

RF5L08350CB4

€ 17.148,00*
por 120 unidades

MOSFET STMicroelectronics RF5L08350CB4, VDSS 110 V, B4E de 5 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

RF5L08350CB4

a partir de € 142,907*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7

ST Microelectronics

SCT040H65G3AG

a partir de € 9,46*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7

ST Microelectronics

SCT040H65G3AG

a partir de € 12,28*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

SCT040HU65G3AG

a partir de € 10,622*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (1 oferta)

ST Microelectronics

SCT040HU65G3AG

a partir de € 11,91*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT055HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, HU3PAK (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

SCT055HU65G3AG

a partir de € 9,23*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT055HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, HU3PAK (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

SCT055HU65G3AG

a partir de € 9,90*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT1000N170, VDSS 1700 V, ID 7 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1700 V Serie = SCT1000N170 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenci...

ST Microelectronics

SCT1000N170

a partir de € 5,98*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT1000N170, VDSS 1700 V, ID 7 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta)

SiC MOSFETSTMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una res...

ST Microelectronics

SCT1000N170

a partir de € 10,326*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SiC MOSFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...

ST Microelectronics

SCT20N120H

a partir de € 9,65*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines (1 oferta)

STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmi...

ST Microelectronics

SCT20N120H

a partir de € 9,643*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión ...

ST Microelectronics

SCT30N120

a partir de € 14,24*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

ST Microelectronics

SCT30N120

a partir de € 18,058*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas)

El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 55m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7

a partir de € 9,02*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH35 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dren...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7

a partir de € 11,861*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resisten...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

a partir de € 9,07*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (1 oferta)

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispo...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

a partir de € 12,366*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH40N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V-7

a partir de € 11,989*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V-7

a partir de € 13,573*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH60N120G2-7, VDSS 1.200 V, ID 60 A, H2PAK-7 de 7 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...

ST Microelectronics

SCTH60N120G2-7

a partir de € 19,868*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH60N120G2-7, VDSS 1.200 V, ID 60 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

SCTH60N120G2-7

a partir de € 41,61*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH70N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...

ST Microelectronics

SCTH70N120G2V-7

a partir de € 28,56*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

SCTH70N120G2V-7

a partir de € 33,017*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH90 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dre...

ST Microelectronics

SCTH90N65G2V-7

a partir de € 20,64*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por ár...

ST Microelectronics

SCTH90N65G2V-7

a partir de € 22,513*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PowerFLAT 8 x 8 HV Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines =...

ST Microelectronics

SCTL35N65G2V

a partir de € 11,85*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (1 oferta)

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...

ST Microelectronics

SCTL35N65G2V

a partir de € 12,38*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTL90N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Dre...

ST Microelectronics

SCTL90N65G2V

a partir de € 21,20*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

SCTL90N65G2V

a partir de € 28,394*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas)

El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 45m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2V

a partir de € 9,75*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2V

a partir de € 11,772*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2V

a partir de € 13,96*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta)

ST Microelectronics

SCTW40N120G2V

a partir de € 16,217*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3

ST Microelectronics

SCTW60N120G2

a partir de € 21,86*
por unidad

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