Mosfet ST Microelectronics | MERCATEO (Página 10/61)

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MOSFET STMicroelectronics STD100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STD100N10F7

Sin datos

€ 1,158*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STD100N10F7

Sin datos

€ 5,495*
por 5 unidades

MOSFET STMicroelectronics STD10NF10T4, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD10NF10T4

Sin datos

a partir de € 0,268*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD10NF10T4, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD10NF10T4

Sin datos

€ 1,115*
por 5 unidades

MOSFET STMicroelectronics STD10P6F6, VDSS 60 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STD10P6F6

Sin datos

a partir de € 0,395*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD11N60DM2, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suita...

ST Microelectronics

STD11N60DM2

Sin datos

a partir de € 0,69*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD11N60DM2, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 420 ...

ST Microelectronics

STD11N60DM2

Sin datos

€ 7,95*
por 5 unidades

MOSFET STMicroelectronics STD11N60M6, VDSS 600 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas)

MOSFET DE CANAL N MDMESH M6STMicroelectronics MDmesh M6 incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. Se basa en la generación anterior de dispositiv...

ST Microelectronics

STD11N60M6

Sin datos

a partir de € 0,631*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD11N60M6, VDSS 600 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = STD11N60M6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima D...

ST Microelectronics

STD11N60M6

Sin datos

a partir de € 1,186*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD11N65M2, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 680 m...

ST Microelectronics

STD11N65M2

Sin datos

a partir de € 0,744*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD11N65M2, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimiz...

ST Microelectronics

STD11N65M2

Sin datos

a partir de € 6,04*
por 5 unidades

MOSFET STMicroelectronics STD12N60DM6, VDSS 600 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas)

STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión que forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida Mesh DM6. En comparación con la generación rápida Mesh anterior, el DM6 combin...

ST Microelectronics

STD12N60DM6

Sin datos

a partir de € 0,865*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD12N60DM6, VDSS 600 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Re...

ST Microelectronics

STD12N60DM6

Sin datos

a partir de € 0,909*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD13N60DM2, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 360 ...

ST Microelectronics

STD13N60DM2

Sin datos

a partir de € 0,832*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STD13N60DM2, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suita...

ST Microelectronics

STD13N60DM2

Sin datos

a partir de € 6,25*
por 5 unidades

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